用白光干涉测量法描述化学机械抛光面

化学机械抛光(CMP)在半导体工业内获得了广泛的赞同,对控制形貌起伏的硅片表面当作首选方法。一种可供选择的基于白光测量原理之上的非接触光学形貌测量法被推出。和大多数商业化只能以纳米精度测量不透明表面的白光干涉测量仪不同,新推出的方法是通过单频相位干涉测量仪(PMI)能够以相似的精度测量透明的可变化反射像的表面结构,这个可变化的反射相也许是由于单层或多层薄膜堆叠在一个底层上的多层表面材料特性所引起的,或者是硅片上其它微结构所引起的。因而,在化学机械抛光加工处理过程中的某些不合格项,例如,碟形腐蚀,可以直接用光学形貌测量法在几秒内做出定量的检测结果。此外,这一方法也能评价附加的,例如特种专用薄膜堆叠层厚的表面特性。由于高精度和高生产能力的结合特征使得这一被提议的方法可能确定为可行的化学机械抛光加工研发和生产的监测方法。

圆片级封装的新颖对准技术

对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。

多种IC设计中Cu CMP阻挡层浆料选择和去除率的控制

集成电路的前缘技术是在低k介质材料上设计3个盖层的复杂结构,上面的盖层可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅酸盐和/或氮化硅(SiN),下面的层可以在低k介质之上用氮碳化硅(SiCN),碳化硅(SiC),或CDO(carbon dopped oxide)直接生成。因此,对于适合铜CMP的选择性浆料,除了具备的高去除率之外,须是在去除上面盖层后能够在下面的介质层表面上终止的浆料。Rohm和Haas电子材料已经开发出能够有效地去除TaN,TEPS,SiN,CDO和/或SiCN,或这些材料的任一化合物的一系列浆料,或者是能够在TEOS、SiN、CDO、SiCN和SiC的任何一种或两种薄膜表面终止,这完全取决于这些特殊浆料的配方设计,通过一两种添加剂控制去除率达到要求。系列浆料中的大多数浆料研磨剂的含量较低,在低压力的情况下具有良好的去除率,为了适应多种行业的需求,高低pH值均可使用。大多数浆料是可调的,用一种或两种添加剂来控制薄膜的去除率。描述和讨论了这些浆料的改良原理。