掺杂非金属元素B、N和O对单层PC6电学和磁学性质的影响

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了非金属元素B、N和O掺杂对单层PC6的电子结构和磁学性质的影响。本征体系单层PC6是直接带隙半导体,没有磁性。计算结果表明,掺杂非金属元素B、N和O使得单层PC6发生了局域结构畸变。此外,这三种非金属元素掺杂对单层PC6的电学性质产生了影响,使得单层PC6发生了从半导体到导体的转变。更为有趣的是,B和O两种非磁性元素的引入使原本没有磁性的单层PC6具有了磁性。

浅析原料卤水净化试验方法

在盐品生产中,原料卤水杂质组分较高对盐产品质量影响严重,此方法论述了如何从源头上去除原料卤水的杂质离子,达到既经济又能产出高质量盐产品的卤水净化方案。

石膏型卤水生产金属钠盐的探讨

针对石膏型卤水制盐,盐品SO42-含量偏高的现状,根据盐品形成环节的影响因素,找出生产低SO42-含量的盐产品的生产工艺控制办法。

双轴应变和外部电场对单层MgI2电子结构的调控

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了施加双轴应变及外电场对单层MgI2电子结构的影响,并分析了能带图、态密度图等。计算结果表明:纯净体系的单层MgI2是一个间接半导体,能隙值为3.602 eV。声子谱没有虚频表明其结构可以稳定存在。随着双轴应变值从−10%到10%,单层MgI2能隙值从2.944 eV变化到3.406 eV。有趣的是,在应变值−10%到4%下,能隙值一直在增加,在4%到10%范围内,能隙值在减小,并且在4%这个应变值下获得最大能隙值3.673 eV。将外部电场设置为0 eV/Å/e至1 eV/Å/e,发现单层MgI2在0.2 eV/Å/e到0.4 eV/Å/e电场下能隙值与纯净体系能隙值相差不大,在0.6 eV/Å/e至0.7 eV/Å/e半导体类型由间接能隙半导体变为直接能隙半导体,0.9 eV/Å/e到1.0 eV/Å/e变为金属,因此判定在0.7 eV/Å/e到0.9 eV/Å/e之间发生了半导体到金属的相变。