Ⅱ-Ⅵ族三元和四元混晶半导体晶格常数的计算

近十年来,随着红外探测器、激光器、光电管、太阳能电池、微波管、高速器件、传感器件等的发展、半导体材料的研究重点也逐渐由二元化合物转为三元和四元混晶体系。HgTe 的禁带宽度为0.02eV,而 ZnS 的禁带宽度为3.66eV,其相应的发光波长分别为62μm 和0.33μm,可见Ⅱ-Ⅵ 族化合物覆盖的波段范围较 Ⅲ-Ⅴ 族要宽得多。特别是在8μm以上的远红外区,Ⅲ一Ⅴ族化合物是不适用的,而Ⅱ-Ⅵ族化合物却有着独特的优越性。近年,

一种新的非均匀减薄法——选择阳极氧化法

提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n^+-n-n^(++)GaAs高低结雪崩二极管的n^+层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。

LPE Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的生长及其估价

将电负性差法估算的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs异质外延材料。Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP的固体组份为0.38<x<0.51,0.01<y<0.065.用X射线双晶衍射、光学显微镜和透射电镜(TEM)、电学测试及低温光致发光实验对材料进行了估价。结果表明,这两种材料对于工作在1.3—1.6μm和2.0—4.4μm范围内的光电子器件及其集成有着极其重要的应用前景。