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一起主变间隙保护误动事故分析及处理 被引量:9
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作者 林海源 吴小妹 +1 位作者 吕庭钦 高可辉 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2012年第6期150-152,共3页
220 kV变压器是半绝缘变压器,即位于中性点附近变压器绕组部分对地绝缘比其他部位弱,中性点的绝缘容易被击穿。一般装有间隙保护,传统间隙保护的间隙零序电流和零序电压共用一个延时元件。通过一起雷击线路造成的主变间隙保护动作事故,... 220 kV变压器是半绝缘变压器,即位于中性点附近变压器绕组部分对地绝缘比其他部位弱,中性点的绝缘容易被击穿。一般装有间隙保护,传统间隙保护的间隙零序电流和零序电压共用一个延时元件。通过一起雷击线路造成的主变间隙保护动作事故,分析了这起间隙保护动作的原因,得出零序电压、间隙零序电流作为变压器不同运行方式下的2种保护,不应该通过相同的延时跳闸,间隙零序电流保护的延时应适当延长与线路的重合闸时间配合。 展开更多
关键词 间隙保护 零序电压 零序电流 中性点 变压器 绕组 绝缘
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缺硫对镉胁迫下水稻幼苗非蛋白巯基物质含量和谷胱甘肽硫转移酶活性的影响 被引量:14
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作者 高可辉 葛滢 张春华 《应用生态学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1796-1802,共7页
通过设置缺硫(S)处理,研究了镉(Cd)胁迫下水稻生长情况、幼苗Cd和非蛋白巯基含量以及谷胱甘肽硫转移酶(GST)活性的动态变化.结果表明:Cd胁迫明显抑制了水稻生长,显著诱导了巯基物质[非蛋白巯基(NPT)、谷胱甘肽(GSH)、植物螯合肽(PC)]的... 通过设置缺硫(S)处理,研究了镉(Cd)胁迫下水稻生长情况、幼苗Cd和非蛋白巯基含量以及谷胱甘肽硫转移酶(GST)活性的动态变化.结果表明:Cd胁迫明显抑制了水稻生长,显著诱导了巯基物质[非蛋白巯基(NPT)、谷胱甘肽(GSH)、植物螯合肽(PC)]的合成,GST活性表现出先升后降的趋势.缺S处理下,尽管水稻根部对Cd的吸收和向地上部的转运都有所增加,但Cd胁迫程度并未明显增强,巯基物质含量明显降低,根部GST活性提高.表明巯基物质和GST在水稻抗Cd胁迫过程中互为补充,在一定程度上减轻了Cd的毒性效应. 展开更多
关键词 缺硫 水稻 非蛋白巯基 谷胱甘肽硫转移酶
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