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采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性
被引量:
1
1
作者
黄念宁
韩克锋
+2 位作者
高喜庆
邹鹏辉
高
建峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期197-201,共5页
GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓...
GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓帽层上生长一层10nm厚、具有更小禁带宽度的InGaAs薄层,基于这种新的外延结构,在欧姆制作工艺不变的情况下,制作的欧姆接触具有更低的欧姆接触电阻率和更好的一致性。
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关键词
复合帽层
接触电阻率
一致性
热可靠性
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职称材料
栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT
被引量:
1
2
作者
高喜庆
高
建峰
+1 位作者
康耀辉
张政
《电子与封装》
2009年第7期34-36,共3页
文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500...
文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz。
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关键词
截止频率
高电子迁移率晶体管
INALAS/INGAAS
INP
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职称材料
InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究
3
作者
邹鹏辉
韩春林
+3 位作者
高
建峰
康耀辉
高喜庆
陈辰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期606-610,619,共6页
用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关...
用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。
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关键词
共振遂穿二极管
高电子迁移率晶体管
空气桥互连
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职称材料
试论加入WTO后的企业集团财务管理
4
作者
程晓明
张勇
高喜庆
《中国财经信息资料》
2003年第24期9-11,共3页
关键词
中国
入世
WTO
企业集团
财务管理
知识效益
人才价值
产权结构
资金管理
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职称材料
发电厂汽轮机的故障分析与解决对策
5
作者
高喜庆
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》
2019年第6期0146-0146,148,共2页
在发电厂运行过程中,汽轮机占据关键的地位,也是电力生产中不可或缺的设备。因汽轮机结构复杂且运行环境较为特殊,使其发生故障的频率也明显提高,不利于发电厂的运行,甚至还会影响人们的日常生产与生活。基于此,文章将发电厂汽轮机作为...
在发电厂运行过程中,汽轮机占据关键的地位,也是电力生产中不可或缺的设备。因汽轮机结构复杂且运行环境较为特殊,使其发生故障的频率也明显提高,不利于发电厂的运行,甚至还会影响人们的日常生产与生活。基于此,文章将发电厂汽轮机作为重点研究对象,阐述其故障检修的关键技术,希望有所帮助。
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关键词
发电厂
汽轮机
故障检修
关键技术
研究
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职称材料
题名
采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性
被引量:
1
1
作者
黄念宁
韩克锋
高喜庆
邹鹏辉
高
建峰
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期197-201,共5页
文摘
GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓帽层上生长一层10nm厚、具有更小禁带宽度的InGaAs薄层,基于这种新的外延结构,在欧姆制作工艺不变的情况下,制作的欧姆接触具有更低的欧姆接触电阻率和更好的一致性。
关键词
复合帽层
接触电阻率
一致性
热可靠性
Keywords
composite cap layer
contact resistance
consistency
thermal reliability
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT
被引量:
1
2
作者
高喜庆
高
建峰
康耀辉
张政
机构
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《电子与封装》
2009年第7期34-36,共3页
文摘
文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz。
关键词
截止频率
高电子迁移率晶体管
INALAS/INGAAS
INP
Keywords
cutoff frequency
high electron mobility transistors
InAlAs/InGaAs
InP
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究
3
作者
邹鹏辉
韩春林
高
建峰
康耀辉
高喜庆
陈辰
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期606-610,619,共6页
文摘
用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。
关键词
共振遂穿二极管
高电子迁移率晶体管
空气桥互连
Keywords
resonant tunneling diodes
high electron mobility transistors
air-bridge
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
试论加入WTO后的企业集团财务管理
4
作者
程晓明
张勇
高喜庆
机构
辽宁省铁岭市财政局
出处
《中国财经信息资料》
2003年第24期9-11,共3页
关键词
中国
入世
WTO
企业集团
财务管理
知识效益
人才价值
产权结构
资金管理
分类号
F279.246 [经济管理—企业管理]
F275 [经济管理—企业管理]
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职称材料
题名
发电厂汽轮机的故障分析与解决对策
5
作者
高喜庆
机构
大唐洛阳热电有限责任公司
出处
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》
2019年第6期0146-0146,148,共2页
文摘
在发电厂运行过程中,汽轮机占据关键的地位,也是电力生产中不可或缺的设备。因汽轮机结构复杂且运行环境较为特殊,使其发生故障的频率也明显提高,不利于发电厂的运行,甚至还会影响人们的日常生产与生活。基于此,文章将发电厂汽轮机作为重点研究对象,阐述其故障检修的关键技术,希望有所帮助。
关键词
发电厂
汽轮机
故障检修
关键技术
研究
分类号
TM621 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性
黄念宁
韩克锋
高喜庆
邹鹏辉
高
建峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
下载PDF
职称材料
2
栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT
高喜庆
高
建峰
康耀辉
张政
《电子与封装》
2009
1
下载PDF
职称材料
3
InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究
邹鹏辉
韩春林
高
建峰
康耀辉
高喜庆
陈辰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
4
试论加入WTO后的企业集团财务管理
程晓明
张勇
高喜庆
《中国财经信息资料》
2003
0
下载PDF
职称材料
5
发电厂汽轮机的故障分析与解决对策
高喜庆
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》
2019
下载PDF
职称材料
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