用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。

硬X射线位相衬度成象

常规X射线成象技术是建立在吸收衬度和几何光学基础上 .介绍了“in line”位相衬度成象技术和成象理论 .以生物样品为例 ,说明常规X射线吸收衬底成象与位相衬度成象的差别 ,并对X射线源尺寸对成象衬度的影响进行了研究 .此外 ,对吸收衬底象和位相衬度象的关键参量进行了计算模拟和讨论 .