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化学气相沉积SiC涂层反应特性及沉积过程的模拟研究
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作者 高恒蛟 曹生珠 +6 位作者 张凯锋 丁旭 刘同 李毅 李坤 成功 熊玉卿 《真空与低温》 2024年第1期98-104,共7页
借助基于有限元原理的COMSOL软件和分子动力学模拟原理的Reax FF软件对化学气相沉积技术制备SiC涂层的反应特性及沉积过程进行模拟研究,为高温抗氧化复合涂层体系中SiC中间层的工艺优化及制备提供理论支持。结果表明,化学气相沉积SiC涂... 借助基于有限元原理的COMSOL软件和分子动力学模拟原理的Reax FF软件对化学气相沉积技术制备SiC涂层的反应特性及沉积过程进行模拟研究,为高温抗氧化复合涂层体系中SiC中间层的工艺优化及制备提供理论支持。结果表明,化学气相沉积SiC涂层过程包括前驱体三氯甲基硅烷(CH_(3)SiCl_(3))的扩散过程和热解反应过程,SiC涂层在扩散过程不会生长,仅从10^(−4)s后的热解反应过程开始生长,沉积生长过程同时伴随涂层的解离。随着入射粒子能量的增大,单位时间内沉积到基底表面的Si和C粒子数不断增加。提高粒子入射能量有利于提高SiC涂层的致密度,当入射粒子能量大于2 eV时可以实现SiC涂层的均匀生长,而当入射能量高于6 eV时,解离的Si和C粒子数量增大,不利于SiC涂层的生长。综合而言,当入射能量为3 eV时,化学气相沉积的SiC涂层综合性能最佳。 展开更多
关键词 CVD SIC涂层 反应特性 生长过程 入射能量
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原子层沉积技术原理及在航天领域的应用现状 被引量:3
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作者 高恒蛟 熊玉卿 +3 位作者 张文台 张凯锋 曹生珠 成功 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期237-243,共7页
原子层沉积(ALD)是一种高精度涂层制备的技术,薄膜膜厚可以实现原子水平的生长。该技术在薄膜厚度的控制、膜厚均匀性、复杂形状构件的覆盖程度等方面具有很大的优势,被认为是制备高致密度涂层非常有效的方法。本文通过对原子层沉积技... 原子层沉积(ALD)是一种高精度涂层制备的技术,薄膜膜厚可以实现原子水平的生长。该技术在薄膜厚度的控制、膜厚均匀性、复杂形状构件的覆盖程度等方面具有很大的优势,被认为是制备高致密度涂层非常有效的方法。本文通过对原子层沉积技术特征、关键技术问题和原子层沉积技术在航天相关领域应用的最新动态进行综述。针对原子层沉积技术反应温度窗口的确定和提高沉积速率两项关键技术,提出分别采用基于第一性原理的理论研究方法和空间原子层沉积技术(SALD)的技术路径,为原子层沉积技术在航天领域进一步发展和应用方向提供思路。 展开更多
关键词 原子层沉积 涂层厚度 高致密度 温度窗口 沉积速率
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直流磁控溅射技术在柔性基底上制备光电屏蔽薄膜的研究 被引量:2
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作者 高恒蛟 徐友慧 +4 位作者 熊玉卿 王艺 王虎 李林 何延春 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期225-231,共7页
目的研究离子束清洗活化和直流磁控溅射工艺参数对聚酰亚胺-铝薄膜光电性能的影响,确定最佳的制备工艺参数。方法单一改变离子束活化工艺参数(离子源功率、气体流量和走带速率)和磁控溅射控制参数(真空度、离子能量、离子束流、温度、... 目的研究离子束清洗活化和直流磁控溅射工艺参数对聚酰亚胺-铝薄膜光电性能的影响,确定最佳的制备工艺参数。方法单一改变离子束活化工艺参数(离子源功率、气体流量和走带速率)和磁控溅射控制参数(真空度、离子能量、离子束流、温度、气体流量、走带速率及走带张力),研究薄膜吸收率、附着力和薄膜外观变化规律。借助扫描电镜、光学仪器和电磁信号测试设备,对最佳工艺条件下制备的薄膜的形貌、透过率、电磁信号衰减频率进行了测试。结果在离子源功率为1260 W、气体流量为120 mL/min、走带速率为0.3 m/min,镀膜辊温度为10℃,溅射功率为10000 W的条件下,制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜太阳吸收率最小为0.09,膜层附着力强,没有异常放电现象,表面光滑。铝在微观状态下呈现微小颗粒状态,表面致密。在0.4~14μm波段范围内,薄膜透射率<3.5%;在3~15 GHz频率范围内,薄膜电磁信号衰减率>30 dB。结论通过直流磁控溅射技术制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜具有优异的光学性能和电磁屏蔽性能,在热控薄膜、屏蔽膜等领域具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 聚酰亚胺 太阳吸收率 电磁信号衰减 热控薄膜
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氧分子在Mo(110)面吸附的第一性原理研究 被引量:2
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作者 高恒蛟 熊玉卿 +3 位作者 刘孝丽 赵栋才 王兰喜 王金晓 《徐州工程学院学报(自然科学版)》 CAS 2016年第3期37-42,共6页
采用密度泛函理论和周期平板模型,研究了氧分子在Mo(110)表面的吸附行为.对氧分子在Mo(110)表面的3种吸附位置(顶位、桥位和穴位)的吸附能和几何构型参数进行了对比计算,确定了最稳定的吸附位置.在此基础上,利用原子轨道电荷分布和能态... 采用密度泛函理论和周期平板模型,研究了氧分子在Mo(110)表面的吸附行为.对氧分子在Mo(110)表面的3种吸附位置(顶位、桥位和穴位)的吸附能和几何构型参数进行了对比计算,确定了最稳定的吸附位置.在此基础上,利用原子轨道电荷分布和能态密度(DOS)分析了氧分子与Mo原子的成键机理.结果表明:对于Mo(110)表面,氧分子在桥位的吸附是体系最稳定的几何构型,其吸附能为2.99eV;氧分子吸附于Mo(110)面主要是由于O的2p轨道与Mo的4p轨道发生重叠杂化的结果. 展开更多
关键词 密度泛函理论 吸附 吸附能 轨道电荷分布 态密度
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耐高温抗氧化铱涂层的研究现状 被引量:1
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作者 高恒蛟 熊玉卿 +2 位作者 赵栋才 王金晓 王兰喜 《真空与低温》 2016年第4期187-191,232,共6页
金属铱具有高熔点和良好的抗氧化性能,是1 800℃以上高温抗氧化涂层的首选材料。通过对国内外制备耐高温抗氧化铱涂层的研究现状进行了综述,探讨了铼基底上铱涂层的主要失效机制,分析了复合沉积技术对于制备高致密、高稳定性铱涂层的意义。
关键词 失效机制 原子层沉积 复合沉积
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原子层沉积技术改性CrN硬质涂层性能的第一性原理研究 被引量:2
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作者 蒋钊 高恒蛟 +3 位作者 周晖 肖更竭 成功 汪科良 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期202-207,共6页
目的基于密度泛函理论的第一性原理,对原子层改性氮化铬(CrN)涂层的关键性能进行仿真计算,以充分了解涂层微观组织结构演变和微观界面结构本质,为后续原子层沉积CrN工艺研究提供理论指导。方法通过建立CrN(011)-CrN(011)复合体系模型,... 目的基于密度泛函理论的第一性原理,对原子层改性氮化铬(CrN)涂层的关键性能进行仿真计算,以充分了解涂层微观组织结构演变和微观界面结构本质,为后续原子层沉积CrN工艺研究提供理论指导。方法通过建立CrN(011)-CrN(011)复合体系模型,分析计算了涂层的界面性能、弹性性能及热力学性能。结果模型结构经过优化后,各原子层间间距均发生不同程度的减小,且各层间距趋于一致。态密度分析表明:其优良的结构稳定性主要来自6.4~4.8 eV范围内Cr原子3d轨道和N原子2p轨道间的相互作用;基于应力应变的弹性常数满足波恩准则判定依据,力学性能稳定,计算结果为硬度30.29 GPa,体积模量409.83 GPa,剪切模量270.86 GPa。采用NVT系综模拟,当温度T≤1023 K时,温度波动振荡收敛;当温度T>1023 K时,温度在某个时间点瞬时激增而不收敛,可以得出CrN涂层的极限使用温度为1023 K。结论原子层沉积改性的CrN硬质涂层具有优良的界面相容性,成键强度高,界面能低,结构性能稳定。 展开更多
关键词 第一性原理 原子层沉积 CRN 界面性能 性能仿真
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增强石墨烯光电探测器光响应度研究进展
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作者 王兰喜 周晖 +8 位作者 张凯锋 王虎 曹生珠 熊玉卿 王金晓 高恒蛟 李学磊 李坤 周超 《光电子技术》 CAS 北大核心 2018年第3期151-161,166,共12页
石墨烯具有从紫外到太赫兹波段范围内的超宽吸收光谱、超高载流子迁移率和超快光响应速度,被认为是制作快速光电探测器的理想材料。然而,具有一个原子层厚度的石墨烯的光吸收仅为2.3%,同时石墨烯载流子皮秒量级的超快复合速率,导致石墨... 石墨烯具有从紫外到太赫兹波段范围内的超宽吸收光谱、超高载流子迁移率和超快光响应速度,被认为是制作快速光电探测器的理想材料。然而,具有一个原子层厚度的石墨烯的光吸收仅为2.3%,同时石墨烯载流子皮秒量级的超快复合速率,导致石墨烯光电探测器的光响应度较低,为几十甚至零点几mA/W。为此,科研人员提出了多种提高石墨烯光电探测器光响应度的方法,使石墨烯光电探测器的光响应度获得显著提升,目前最高已达到107 A/W。综述近年增强石墨烯光电探测器光响应度的研究进展,分析各种方法的特点,讨论石墨烯光电探测器未来可能的发展趋势和前景。 展开更多
关键词 石墨烯 光电探测器 光电响应度 研究进展
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TiC对自蔓延高温合成Ti_3AlC_2相的影响 被引量:4
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作者 封小鹏 陈秀娟 +2 位作者 高恒蛟 史鉴 张树纲 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期98-101,共4页
以Ti、Al和C粉末为原料的自蔓延高温合成试验研究结果表明:在n(Ti):n(Al):n(C)=2:1:1体系中,未添加TiC时,合成产物中有大量的杂相Ti2AlC生成;当添加≤22.5%(原子数分数)TiC时,合成产物中TiC的含量减少,Ti3AlC2的含量显著增多,Ti2AlC杂... 以Ti、Al和C粉末为原料的自蔓延高温合成试验研究结果表明:在n(Ti):n(Al):n(C)=2:1:1体系中,未添加TiC时,合成产物中有大量的杂相Ti2AlC生成;当添加≤22.5%(原子数分数)TiC时,合成产物中TiC的含量减少,Ti3AlC2的含量显著增多,Ti2AlC杂质相消失;添加>22.5%(原子数分数)TiC时,合成产物Ti3AlC2的含量减少,TiC的含量增多。分析了TiC对合成产物物相组成的影响。 展开更多
关键词 Ti-Al-C系 TIC TI3ALC2 显微组织 K值法
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掺杂稀土La减少金刚石/铜复合材料界面缺陷的研究 被引量:3
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作者 张晓宇 许旻 +3 位作者 曹生珠 高恒蛟 张凯锋 周晖 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期70-76,共7页
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了不同La含量的金刚石/铜复合材料。使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪对复合材料的物相组成、界面微观组织和元素分布进行了表征,并通过排水法测试复合材料的致密度和气孔率。基于第一性原... 采用放电等离子烧结法(SPS)制备了不同La含量的金刚石/铜复合材料。使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪对复合材料的物相组成、界面微观组织和元素分布进行了表征,并通过排水法测试复合材料的致密度和气孔率。基于第一性原理密度泛函理论,对含La的金刚石/铜复合材料界面电子态密度和原子间距变化进行了计算。计算结果表明,La与Cu的电子态密度在费米能级附近存在较宽的赝能隙,二者成键能力强。经周期平板模型能量优化后,La原子与Ti、Cu原子的间距均明显减小;体系中La与Cu的原子间距更小,表明稀土La与Cu基体亲和力更强。实验结果表明,稀土La大量固溶于铜基体内,促生了Cu2La相。随着La含量的增加,存在于复合材料界面处的缝隙、孔洞等缺陷逐渐减少,复合材料的致密度逐渐上升。未添加La的复合材料气孔率为3.48%,而添加7%La的复合材料的气孔率下降至0.42%。金刚石/铜复合材料中掺杂La能有效减少界面缺陷。 展开更多
关键词 金刚石/铜复合材料 界面缺陷 界面修饰 LA 第一性原理
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高温抗氧化铱涂层复合制备技术展望 被引量:3
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作者 成功 熊玉卿 +2 位作者 周晖 张凯峰 高恒蛟 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期499-505,512,共8页
金属铱具有高熔点及低氧渗透率,是理想的氧气扩散屏障材料,为重要的高温抗氧化防护涂层材料之一,在航空航天领域具有广阔的应用前景。综述了目前较常采用的几种铱涂层制备技术的特点,在对比现有铱涂层制备方法的基础上,提出了原子层沉积... 金属铱具有高熔点及低氧渗透率,是理想的氧气扩散屏障材料,为重要的高温抗氧化防护涂层材料之一,在航空航天领域具有广阔的应用前景。综述了目前较常采用的几种铱涂层制备技术的特点,在对比现有铱涂层制备方法的基础上,提出了原子层沉积/化学气相沉积复合制备技术。分析了该复合制备技术在铱涂层制备方面的优势,并指出发展原子层沉积/化学气相沉积复合制备技术尚需解决的几个关键问题。 展开更多
关键词 涂层 原子层沉积 化学气相沉积 复合制备
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自蔓延高温合成Ti_3AlC_2陶瓷材料 被引量:2
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作者 封小鹏 陈秀娟 +3 位作者 张鹏林 史鉴 高恒蛟 高君玲 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2011年第5期736-741,共6页
以Ti、Al、C、TiC粉末为原料,研究掺杂Si及Al含量对自蔓延高温合成Ti3AlC2的影响,合成材料的X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明:物质的量比n(Ti):n(Al):n(C):n(TiC):n(Si)=2:1.2:1:0.9:0.1的原始混合粉末,经50 MPa压... 以Ti、Al、C、TiC粉末为原料,研究掺杂Si及Al含量对自蔓延高温合成Ti3AlC2的影响,合成材料的X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明:物质的量比n(Ti):n(Al):n(C):n(TiC):n(Si)=2:1.2:1:0.9:0.1的原始混合粉末,经50 MPa压力压制的压坯在空气中自蔓延高温合成后,可获得高纯度的Ti3AlC2陶瓷材料,并且添加的Si均匀的固溶在基体中。合成的产物为片层状组织并存在极少的颗粒结构,片层状晶粒的平均尺寸为10μm左右。掺加硅时,适当增加Al含量有助于Ti3AlC2的生成。通过K-值法估算Ti3AlC2的纯度,在n(Ti):n(Al):n(C):n(TiC):n(Si)=2:1.2:1:0.9:0.1体系中,得到的Ti3AlC2陶瓷材料纯度高达97.75%。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成 TI3ALC2 差热分析 显微组织 SI K-值法
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热处理工艺对铁硅化合物相转变的影响 被引量:3
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作者 陈秀娟 高恒蛟 +1 位作者 封小鹏 高君玲 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期274-278,共5页
讨论了热处理温度和保温时间对铁硅化合物相转变的影响。通过一系列的热处理试验总结铁硅化合物的相变规律,得出了制备β-FeSi2最佳的工艺参数。结果表明:掺杂Cu的燃烧合成产物经过热处理可显著增强β-FeSi2相,减少了α-Fe2Si5相;当铁... 讨论了热处理温度和保温时间对铁硅化合物相转变的影响。通过一系列的热处理试验总结铁硅化合物的相变规律,得出了制备β-FeSi2最佳的工艺参数。结果表明:掺杂Cu的燃烧合成产物经过热处理可显著增强β-FeSi2相,减少了α-Fe2Si5相;当铁硅原子比x(Fe)∶x(Si)=1∶3,热处理条件为800℃、2h时完全消除了α-Fe2Si5相,β-FeSi2相峰值最强,产物颗粒尺寸明显减小,大尺寸颗粒消失,内部组织比较均匀。 展开更多
关键词 铁硅间化合物 热处理 工艺参数 α-Fe2Si5 Β-FESI2
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Cu掺杂及Si含量对β-FeSi_2相变的影响 被引量:1
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作者 高恒蛟 陈秀娟 +1 位作者 封小鹏 高君玲 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期17-21,共5页
采用燃烧合成-热处理工艺制备热电材料β-FeSi2,研究了Cu掺杂和不同的硅含量对β-FeSi2相变的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了合成的铁硅间化合物的相组成及其微观形貌。结果表明:掺杂0.5 at%的Cu在热处理过程中能提高共... 采用燃烧合成-热处理工艺制备热电材料β-FeSi2,研究了Cu掺杂和不同的硅含量对β-FeSi2相变的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了合成的铁硅间化合物的相组成及其微观形貌。结果表明:掺杂0.5 at%的Cu在热处理过程中能提高共析反应(α→β+Si)的反应进程,完全地将α-Fe2Si5转变为β-FeSi2,形成P型半导体。在混料阶段按Fe∶Si=1∶3的原子比例制备β-FeSi2,XRD分析表明,过量的Si单质提高了Si+ε→β的相转变过程,很大程度上能够消除ε相,增加β-FeSi2的含量。 展开更多
关键词 热处理工艺 CU掺杂 硅含量 Β-FESI2 相转变
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Roll-to-roll fabrication of large-scale polyorgansiloxane thin film with high flexibility and ultra-efficient atomic oxygen resistance 被引量:1
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作者 Yi LI Zhonghua LI +8 位作者 Detian LI Yanchun HE Shengzhu CAO Hu WANG Hengjiao GAO Hanjun HU Ying HE Yuan WANG Jun ZHU 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第6期173-181,共9页
One of the most widely used and well-established atomic oxygen(AO)protection solutions for low Earth orbit(LEO)satellites is the deposition of protective coatings on polymeric materials.However,manufacturing extensive... One of the most widely used and well-established atomic oxygen(AO)protection solutions for low Earth orbit(LEO)satellites is the deposition of protective coatings on polymeric materials.However,manufacturing extensive expanses of these coating materials with good transparency,flexibility,smoothness,ultra-thinness,and exceptional AO resistance remains a critical issue.Herein,we successfully deposited a 400 nm thick polyorgansiloxane(SiO_(x)C_(y)H_(z))coating with high optical transparency and uniform good adherence on to a 1.2 m wide polyimide surface,by optimizing the distribution of hexamethyldisiloxane and oxygen as precursors in the roll-to-roll compatible plasmaenhanced chemical vapor deposition process.After AO irradiation with the fluence of 7.9×10^(20)atoms·cm^(–2),the erosion yield of the SiO_(x)C_(y)H_(z)-coated Kapton was less than 2.30×10^(–26)cm^3·atom^(–1),which was less than 0.77%of that of the Kapton.It indicates that the SiO_(x)C_(y)H_(z)coating can well prevent the erosion of Kapton by AO.In addition,it was also clarified that a SiO_(2) passivation layer was formed on the surface of the SiO_(x)C_(y)H_(z)coating during AO irradiation,which exhibited a‘self-reinforcing’defense mechanism.The entire preparation process of the SiO_(x)C_(y)H_(z)coating was highly efficient and low-cost,and it has shown great potential for applications in LEO. 展开更多
关键词 plasma-enhanced chemical vapor deposition HEXAMETHYLDISILOXANE polyorganosiloxane thin film FLEXIBILITY atomic oxygen
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Atomic layer deposition of copper thin film and feasibility of deposition on inner walls of waveguides
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作者 Yuqing XIONG Hengjiao GAO +1 位作者 Ni REN Zhongwei LlU 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第3期146-150,共5页
Copper thin films were deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperature,using copper(I)-N,N′-di-sec-butylacetamidinate as a precursor and hydrogen as a reductive gas.The influence of temperatur... Copper thin films were deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperature,using copper(I)-N,N′-di-sec-butylacetamidinate as a precursor and hydrogen as a reductive gas.The influence of temperature,plasma power,mode of plasma,and pulse time,on the deposition rate of copper thin film,the purity of the film and the step coverage were studied.The feasibility of copper film deposition on the inner wall of a carbon fibre reinforced plastic waveguide with high aspect ratio was also studied.The morphology and composition of the thin film were studied by atomic force microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy,respectively.The square resistance of the thin film was also tested by a four-probe technique.On the basis of on-line diagnosis,a growth mechanism of copper thin film was put forward,and it was considered that surface functional group played an important role in the process of nucleation and in determining the properties of thin films.A high density of plasma and high free-radical content were helpful for the deposition of copper thin films. 展开更多
关键词 atomic layer deposition COPPER inner wall WAVEGUIDE high aspect ratio
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退火温度对锗薄膜光学性能和表面结构的影响 被引量:2
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作者 李坤 熊玉卿 +3 位作者 王虎 高恒蛟 何延春 周晖 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期18-23,共6页
研究了退火温度对电子束蒸发制备的锗薄膜光学性能和表面结构的影响规律。在硅基底上制备了厚度约850 nm的Ge薄膜,分别在350、400、450和500℃下进行退火。通过红外光谱仪测试了薄膜的透射率变化,采用光谱反演法得到了薄膜折射率和消光... 研究了退火温度对电子束蒸发制备的锗薄膜光学性能和表面结构的影响规律。在硅基底上制备了厚度约850 nm的Ge薄膜,分别在350、400、450和500℃下进行退火。通过红外光谱仪测试了薄膜的透射率变化,采用光谱反演法得到了薄膜折射率和消光系数的变化规律,使用X射线衍射和原子力显微镜测试了样品的结晶特性和表面形貌。结果表明,与退火前的薄膜各项参数相比,退火后薄膜的透射率升高,而折射率和消光系数下降。当退火温度从350℃升高到500℃,透射率和折射率均逐渐减小,而消光系数逐渐变大。在400℃以上进行退火处理的薄膜出现结晶现象,Ge(111)晶面为择优生长取向。随着退火温度的升高,晶粒尺寸变大,薄膜表面出现颗粒状物质,并且表面粗糙度升高。 展开更多
关键词 退火 锗薄膜 光学性能 表面结构
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Ir/SiC界面结合力、稳定性和电子结构的第一性原理研究
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作者 成功 熊玉卿 +2 位作者 周晖 张凯锋 高恒蛟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期1569-1575,共7页
基于密度泛函理论(DFT)第一性原理研究了Ir(111)/SiC(111)界面。在考虑不同堆垛位置和表面封端的基础上,共研究了6种不同的界面构型。结果表明:具有9层原子层的Ir(111)表面构型表现体相材料的特征,而12层原子层的SiC(111)表面构型能体... 基于密度泛函理论(DFT)第一性原理研究了Ir(111)/SiC(111)界面。在考虑不同堆垛位置和表面封端的基础上,共研究了6种不同的界面构型。结果表明:具有9层原子层的Ir(111)表面构型表现体相材料的特征,而12层原子层的SiC(111)表面构型能体现体相SiC的性能。粘附功和界面能结果表明,C封端顶位堆垛(C-TS)和Si封端中心位堆垛(Si-CS)界面构型具有最大的粘附功,分别为6.35和6.23 J/m^(2),是最稳定的构型;弛豫后的界面能分别为0.07和0.10 J/m^(2)。电子结构分析表明:C-TS界面处具有离子特性,而Si-CS界面处具有共价键特性。C-TS和Si-CS界面的结合强度和稳定性归因于Ir-d与C-p,Si-p轨道之间的杂化。与C-TS界面相比,Si-CS界面第2层原子与界面Ir原子的相互作用更大。 展开更多
关键词 第一性原理 Ir/SiC界面 粘附功 界面能 电子结构
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