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铟锡氧化物纳米粉的显微结构 被引量:11
1
作者 高愈尊 李永洪 张泰宋 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期278-281,共4页
采用化学共沉淀法制备了立方结构的铟锡氢氧化物纳米粉。250℃热处理后铟锡氢氧化物由晶态转化为非晶态,然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉。600℃热处理1h后粉末粒度为10~20nm,铟锡质量比接... 采用化学共沉淀法制备了立方结构的铟锡氢氧化物纳米粉。250℃热处理后铟锡氢氧化物由晶态转化为非晶态,然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉。600℃热处理1h后粉末粒度为10~20nm,铟锡质量比接近9∶1。铟锡氧化物颗粒接近球形,分散性好。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米粉 显微结构 化学共沉淀法
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氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响
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作者 高愈尊 高桥平七郎 +1 位作者 佐藤羲一 竹山太郎 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期47-50,共4页
在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温~773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿... 在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温~773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿〈110〉方向。棒状缺陷和层错有〈116〉型的位移矢量,层错在(113)面上。非层错化过程产生具有柏氏矢最为 a/2〈110〉型的间隙型位错环. 展开更多
关键词 单晶硅 电子辐照 辐照缺陷
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硅锗合金均匀性的X射线衍射研究
3
作者 高愈尊 徐柱天 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期187-190,共4页
用X射线衍射技术研究了Si-Ge合金的均匀性。利用Vegard定律测定Si-Ge固溶体成分的不均匀性。除用X射线衍射作成分分析和相组成分析之外,还作了一些金相电子探针微区分析,进一步证实X射线法测定Si-Ge合金均匀程度的优越性。
关键词 硅锗合金 均匀性 X射线衍射
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双注入匹配的计算机模拟和Ti^++N^+双注入的实验结果 被引量:5
4
作者 张通和 姬成周 +4 位作者 沈京华 陈俊 杨建华 孙贵如 高愈尊 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1990年第4期53-58,共6页
为在金属中形成所需要的合金或金属间化合物而采用双重离子注入技术.2种注入离子注入能量和注量需要合理匹配.还考虑了溅射效应和扩散效应存在时的各种修正.在计算机模拟的基础上,对 Ti^++N^+双注入 H13钢中 Fe_2Ti,TiN 和 Fe_2N 等化... 为在金属中形成所需要的合金或金属间化合物而采用双重离子注入技术.2种注入离子注入能量和注量需要合理匹配.还考虑了溅射效应和扩散效应存在时的各种修正.在计算机模拟的基础上,对 Ti^++N^+双注入 H13钢中 Fe_2Ti,TiN 和 Fe_2N 等化合物进行了测量.这些合金相和金属间化合物的形成提高了钢表面抗磨损特性.还讨论了双注入金属表面的硬化机理. 展开更多
关键词 离子注入 双注入 Ti^+ N^+ 合金相
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靶温对Ti注入H13钢表面强化机制的研究 被引量:3
5
作者 陈俊 张通和 +4 位作者 姬成周 沈京华 杨建华 孙贵如 高愈尊 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1991年第4期403-408,共6页
给出了不同靶温下的Ti注入H13钢的抗磨损特性,并研究了不同靶温对强化机理的影响。注入时靶温为液氮冷却、150和400℃,注入能量和注量分别为180keV和3×10^(17)cm^(-2)。不同靶温下注入后,样品表面硬度不同。但均比未注入样品硬度... 给出了不同靶温下的Ti注入H13钢的抗磨损特性,并研究了不同靶温对强化机理的影响。注入时靶温为液氮冷却、150和400℃,注入能量和注量分别为180keV和3×10^(17)cm^(-2)。不同靶温下注入后,样品表面硬度不同。但均比未注入样品硬度有明显提高。抗磨损能力也有提高,从液氮靶温注入的1.75倍,150℃靶温的7.7倍到400℃靶温的11.2倍。硬度和抗磨损能力的提高程度取决于不同靶温下注入H13钢表面强化机理的差异。低温注入以位错强化和超过饱和强化为主,150和400℃注入TiC,Fe_2Ti等析出相明显增多,它们以析出相的弥散质点强化为主。 展开更多
关键词 离子注入 H13钢 温度 抗磨性
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纳米银块体材料的制备及其结构表征 被引量:1
6
作者 周辉 高愈尊 +1 位作者 金孝刚 陈宏 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1107-1111,共5页
采用超高压冲击波将纳米银粉固结为具有纳米结构的致密块体材料。采用X射线衍射和透射电子显微镜研究了试样的显微结构。不同冲击波压力 (2 .98~ 6 .6 5GPa)下压制的试样的晶粒尺寸在 5 0~ 12 0nm之间。试样中除了纳米颗粒界面熔化并... 采用超高压冲击波将纳米银粉固结为具有纳米结构的致密块体材料。采用X射线衍射和透射电子显微镜研究了试样的显微结构。不同冲击波压力 (2 .98~ 6 .6 5GPa)下压制的试样的晶粒尺寸在 5 0~ 12 0nm之间。试样中除了纳米颗粒界面熔化并互相联接形成的纳米晶粒外 ,还出现 { 111}孪晶结构 ,而每一片孪晶又由许多小的纳米晶粒组成。孪晶和位错运动是纳米银在超高压冲压波作用下形变的两个重要特征。 展开更多
关键词 纳米银块体 超高压冲击波 显微结构 纳米材料 X射线衍射 透射电子显微镜
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离子减薄法对纳米金属材料微结构的影响 被引量:3
7
作者 李永洪 高愈尊 张泰宋 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第2期187-189,共3页
采用液氮冷却和常温条件下的Ar离子减薄法制备了纳米金属材料的透射电子显微镜样品。观察发现液氮冷却条件下离子减薄的试样中,仍具有纳米相材料的微结构特征,而在常温下减薄的样品中已有一些异常长大的晶粒。
关键词 离子减薄 纳米金属材料 微结构
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超细La_2O_3纳米粉末制备过程的电子显微镜动态观察
8
作者 高愈尊 李永洪 张泰宋 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期348-350,共3页
用超高压透射电子显街镜原位加热动态观察的方法研究从非晶氢氧化钢转变为纳米级氧化间超细粉过程中显微组织和结构的变化。电子衍射花样证实在试样被加热到400℃以上时转变为氧化镧纳米粉,其颗粒尺寸为20~50nm。
关键词 纳米粉末 原位动态观察 氧化镧 电子显微镜
全文增补中
化学法制备的纳米金属粉TEM观察
9
作者 李永洪 高愈尊 张泰宋 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期491-491,共1页
化学法制备的纳米金属粉TEM观察李永洪,高愈尊,张泰宋(北京有色金属研究总院,北京100088)纳米材料是当代材料研究和发展的十大方向之一。为满足金属纳米材料和各种性能,特别是力学性能研究的需要,研制大块纳米金属材料... 化学法制备的纳米金属粉TEM观察李永洪,高愈尊,张泰宋(北京有色金属研究总院,北京100088)纳米材料是当代材料研究和发展的十大方向之一。为满足金属纳米材料和各种性能,特别是力学性能研究的需要,研制大块纳米金属材料已成为国内外纳米金属材料研究急待解... 展开更多
关键词 纳米材料 金属粉 湿法冶金 TEM
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硅单晶中位错电镜衍衬像的计算机模拟
10
作者 尚平 高愈尊 李永洪 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期199-202,共4页
本文用电子计算机模拟了硅单晶中位错的电镜衍衬像。计算模拟像与集成电路硅材料中出现的位错的电子显微镜实验像符合较好。用计算像的方法准确地确定了位错的特性。文中还对改变试样厚度、衍射偏离参量以及吸收系数等不同条件下的位错... 本文用电子计算机模拟了硅单晶中位错的电镜衍衬像。计算模拟像与集成电路硅材料中出现的位错的电子显微镜实验像符合较好。用计算像的方法准确地确定了位错的特性。文中还对改变试样厚度、衍射偏离参量以及吸收系数等不同条件下的位错像作了计算模拟。 展开更多
关键词 硅单晶 位错 电镜衍衬像 计算机
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Ti注入钢时金属间化合物形成对钢强化机理的研究 被引量:8
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作者 张通和 姬成周 +5 位作者 沈京华 陈俊 杨建华 高愈尊 孙贵如 谭福进 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1990年第4期45-52,共8页
探讨了 Ti 注入 H13钢时形成 Ti 和 Fe 合金相的规律以及 Ti 注入钢的硬化机理.根据辐射损伤理论给出了离子注入引起的空位和间隙原子产生率微分方程,并导出了平衡态时方程的解.研究了注量、能量和靶温对合金形成的影响.注入后退火的样... 探讨了 Ti 注入 H13钢时形成 Ti 和 Fe 合金相的规律以及 Ti 注入钢的硬化机理.根据辐射损伤理论给出了离子注入引起的空位和间隙原子产生率微分方程,并导出了平衡态时方程的解.研究了注量、能量和靶温对合金形成的影响.注入后退火的样品表面硬度可提高40~50%.用 X衍射和透射电子显微镜测量了 Fe_2Ti 和 FeTi 合金相.用维氏硬度计测量了上述诸条件下注入样品的表面硬度,用针盘磨损机测量了样品抗磨损特性.分析了这些合金相对表面硬化和抗磨损影响的机制. 展开更多
关键词 金属强化 离子注入 合金相 硬化
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Electron Microscopic In-situ Observation for Preparation of Ultrafine La_2O_3 Nanophase Powder 被引量:1
12
作者 高愈尊 李永洪 张泰宋 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 1996年第3期206-209,共4页
In-situ observation in high voltage electron microscope(HVEM) was used to investigate transformation from amorphous La(OH)3 to nanophase La2O3. Electron diffraction pattern indicates that the transition temperature fr... In-situ observation in high voltage electron microscope(HVEM) was used to investigate transformation from amorphous La(OH)3 to nanophase La2O3. Electron diffraction pattern indicates that the transition temperature from La(OH)3 to nanophase La2O3 is 400 ℃. Particle sizes for nanophase La2O3 are from 20 to 50 nm. 展开更多
关键词 La_2O_3 NANOPHASE Insitu observation High voltage electron microscope
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Microstructure Study on Nano-phase Powder of Indium Tin Oxide
13
作者 高愈尊 李永洪 张泰宋 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第1期51-55,共5页
hemical co-precipitation method was used to prepare indium tin hydroxide. Indium tin hydroxide has the structure of cubic crystal. The cubic crystal structure transformed to amorphous after heat treatment at 250℃ for... hemical co-precipitation method was used to prepare indium tin hydroxide. Indium tin hydroxide has the structure of cubic crystal. The cubic crystal structure transformed to amorphous after heat treatment at 250℃ for 1 h. When the heat treatment temperature was higher than 280℃, the amorphous transformed to cubic crystal structure. After heat treatment at 600℃ for 1 h, the particle size of indium tin oxide is 8~20 nm. The weight ratio of In∶Sn is near 9∶1. Its granule has spherical shape. The dispersity is good. 展开更多
关键词 MICROSTRUCTURE Nanophase powder Indium tin oxide
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InSb中离子注入二次缺陷研究
14
作者 田人和 卢武星 +1 位作者 李竹怀 高愈尊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期809-813,T001,T002,共7页
本文用平面的透射电子显微术(TEM)、剖面的透射电子显微术(XTEM)以及卢瑟福背散射和沟道谱(RBS),研究InSb中离于注入Zn^+,Mg^+,Be^+产生的二次缺陷。以及它们的退火特性。结果表明,轻离子Be^+注入产生的二次缺陷比重离子Zn^+注入产生的... 本文用平面的透射电子显微术(TEM)、剖面的透射电子显微术(XTEM)以及卢瑟福背散射和沟道谱(RBS),研究InSb中离于注入Zn^+,Mg^+,Be^+产生的二次缺陷。以及它们的退火特性。结果表明,轻离子Be^+注入产生的二次缺陷比重离子Zn^+注入产生的要少得多,而Mg^+离子介于Be^+离子和Zn^+离子之间,在中等剂量下(1×10^(13)cm^(-2)附近),注入损伤并不严重,而且容易恢复。从360℃到440℃之间作了退火温度的研究。从研究结果发现,退火温度以360℃为佳。离子注入InSb中的二次缺陷的形貌与Si中的不同,InSb中的二次缺陷以位错网为主,位错环所占比例不大且尺寸较小,而沉淀物和层错四面体也出现在其中。 展开更多
关键词 锑化铟 半导体 位错 离子注入 退火
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