脱气氢电导率评价水汽品质的可行性研究

由于CO2的存在,使得氢电导率不能直接反应水汽中侵蚀性杂质阴离子的含量。对此,结合某600MW直接空冷机组实际测量的脱气氢电导率数据,分析研究加热沸腾法脱气对CO2脱除效果以及对水样中F-、Cl-等的影响。结果表明,加热沸腾脱气技术能有效去除溶解的CO2,同时对水样中的Cl-、F-等阴离子几乎无去除作用;实际测定的脱气氢电导率非常接近理论值,能够真实反映水样中的侵蚀性杂质阴离子含量;采用脱气氢电导率评价水汽品质比氢电导率更有实际意义。

建筑给排水管道施工中防渗漏的施工技术探讨

给排水施工是建筑工程施工中较为重要的一项内容,同时给排水管道渗漏也是当前建筑施工中较为常见的质量问题。一旦建筑给排水管道发生泄漏,不仅会严重影响工程的质量,同时还会对居民正常的生活带来较大的影响。因此在建筑给排水管道施工过程中,需要重视各项质量和技术指标的提升,并关注一些细节部位的施工质量管控,全面提高给排水管道的施工质量,有效的避免发生渗漏的可能,确保整体工程质量的全面提升。

利用光致发光技术研究多晶硅片厚度对太阳电池性能的影响

利用光致发光技术对两种厚度的多晶硅片进行缺陷检测并分类,在缺陷比例相同的条件下分析了硅片厚度对太阳电池性能的影响。薄(175μm)太阳电池在开路电压、短路电流、转换效率方面明显低于同等缺陷的厚(190μm)电池,即硅片厚度的降低会引起电池性能的下降。此外,厚度降低后,低缺陷硅片的电池效率损失大于高缺陷硅片。

高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响

研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,两种隔离层对铁杂质都具有阻挡作用,预烧结的隔离层有利于降低硅锭中的氧浓度,其对应的硅锭中氧浓度和组件光致衰减率均为最低,而未经烧结的隔离层并未体现出这一作用。通过两种隔离层的SEM图像可以发现,经过预烧结工艺的隔离层结构更为致密;而未经烧结的隔离层中孔隙较多,可能容易引起硅熔体与隔离层或者坩埚进行反应,将较多的氧杂质引入到硅锭中,从而造成氧含量的增加并引起组件较高的光致衰减率。

劳动合同制理论依据探讨

实行劳动合同制是我国社会主义劳动制度的一项重大改革,本文试图从全民所有制经济的角度探讨一下它的理论依据。 劳动是人类创造社会财富的活动。随着社会生产力的发展以及生产关系的变革,人类的劳动方式及其社会表现形式也在不断地发生变化。在自给自足的小农经济条件下,劳动者运用自有或租入的生产资料从事劳动,只存在家庭内部的自然分工,劳动无需通过社会的活动去实现,因而也就不存在社会的劳动制度。然而随着商品经济的发展,产生了不同社会历史时期的劳动制度。

太阳电池用多晶硅锭红外检测中阴影的表征分析

研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件。采用光致发光(PL)技术、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对杂质进行了表征与分析。结果显示,形成阴影的夹杂在晶界中存在的形态主要为针状或薄片状,其组成成分主要为C,N和Si元素。而Si_3N_4的出现可能有两个原因:一是Si_3N_4涂层脱落而沉积在晶界中;二是溶解在液相中的N局部过饱和。此外,结晶过程中,SiC也随之成核并生长,在晶界上形成夹杂物,同时伴随着微缺陷的增加。据此提出了去除多晶硅锭内部阴影的几点措施。

建筑给排水设计施工中节水节能技术的应用

建筑项目施工中给排水是其中较为重要的内容,为了达到给排水系统节能的效果,需要科学合理进行给排水项目设计和施工,并充分的引入节水节能技术,以此来改善建筑给排水系统的效果,达到节能降耗的目标。文中从节水节能技术在建筑给排水设计施工的应用现状入手,分析了建筑给排水设计施工应用节能技术的必要性,并进一步对节水节能技术在建筑给排水设计施工中的具体应用进行了阐述。

现代高层建筑给排水施工技术管理探讨

给排水系统是当前高层建筑中非常重要的组成部分,其直接关系到日后的使用。因此在现代高层建筑给排水施工过程中,需要针对给排水施工的特点,合理应用具体的给排水施工技术,强化对施工质量的管控,有效的提高现代高层建筑给排水施工的质量。文中分析了高层建筑给排水施工技术特点,并进一步对现代高层建筑给排水施工技术管理进行了具体的阐述。

硅晶体OSF缺陷与直拉单晶工艺关系的研究

利用Cz法生长的单晶硅是半导体和光伏行业的重要基材,但该常规工艺存在一定缺陷:单晶硅头部容易产生较多OSF缺陷,导致头部无法使用。作者通过计算机模拟技术结合实际试验,对常规工艺进行优化。通过对常规和试验单晶硅头部OSF缺陷检测,得出:提升晶体转速、降低石英坩埚转速、提高晶体头部拉速可有效降低单晶硅头部OSF缺陷。

硅生长过程的热场建模工艺优化研究

本文通过分析晶体的生长界面,得出生长界面的形状对单晶的内在质量参数有着极为重要的影响。等径生长时生长界面是逐渐由凸变平,进而控制成微凹状。保持这种生长界面不仅有利于单晶生长,还可以避免生长界面处受熔体流的冲刷而引起的回熔,有利于降低单晶中微缺陷密度。通过优化热场和工艺参数可以提高晶体品质,降低杂质含量。

高效多晶生长技术

作为清洁环保的新能源,太阳能电池的应用越来越普及。传统的硅电池工艺,效率较低,单位面积的发电量较低,由于太阳能电池大部分安装在地面上,这样大大增加了太阳能电池板的占地面积。因此电池效率的提高,有利于大大降低土地成本。本文通过对热场温度的优化以及晶粒的细化,使晶体在初期的成核得到控制,在结晶过程中具有稳定的结晶速度和过冷度,从而提高了硅晶体的少子寿命,降低了硅晶体的内部缺陷,提高了多晶硅电池效率。