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薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性
被引量:
1
1
作者
高梓喻
蒋永吉
+3 位作者
李曼
郭宇锋
杨可萌
张珺
《应用科技》
CAS
2017年第1期40-44,共5页
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容...
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容-电压特性,通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理,并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容-电压特性,为通过电容-电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。
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关键词
硅膜厚度
MIS结构
电容-电压特性
绝缘层固定电荷
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职称材料
题名
薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性
被引量:
1
1
作者
高梓喻
蒋永吉
李曼
郭宇锋
杨可萌
张珺
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
射频集成与微组装技术国家与地方联合工程实验室
出处
《应用科技》
CAS
2017年第1期40-44,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61574081)
教育部博士点基金项目(20133223110003)
+2 种基金
江苏省自然科学基金项目(BK20130778)
江苏省工业支撑计划项目(BE2013130)
国家重点实验室基金项目(KFJJ201403)
文摘
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容-电压特性,通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理,并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容-电压特性,为通过电容-电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。
关键词
硅膜厚度
MIS结构
电容-电压特性
绝缘层固定电荷
Keywords
thickness of silicon film
MIS structure
capacitance-voltage characteristics
fixed insulator charge
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性
高梓喻
蒋永吉
李曼
郭宇锋
杨可萌
张珺
《应用科技》
CAS
2017
1
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职称材料
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参考文献
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