垂直取向L1_0 FePt纳米粒子的磁性

用磁控溅射法在加热到700℃的MgO(001)基板上沉积了FePt薄膜.依靠基板与薄膜间的晶格失配,形成了磁化易轴垂直于基板平面的L10相(001)织构.膜厚为5nm时得到了直径约70nm的纳米粒子,4.2K温度下其矫顽力达105kOe(1Oe=79.58A/m).膜厚增加到50nm时,薄膜由不连续变化为连续,矫顽力下降了一个数量级.用微磁学方法对单畴粒子的自发磁化和磁化反转过程进行了模拟.结果表明,磁化反转机制是涡旋式的成核,模拟矫顽力为121kOe.这意味着实验获得的矫顽力已经接近理想单晶单磁畴粒子矫顽力的极限.

Co掺杂非晶C薄膜的低温磁输运特性及磁性能研究(英文)

采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at%)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温。研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能。通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR)。温度为2K、磁场为90×79.6kA.m-1时,Co含量为6.4at%的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6%。随着Co含量从6.4at%增加至16.4at%,MR值从27.6%逐渐减小至2.2%。电阻率??随温度T的变化曲线显示了线性的ln?-T-1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制。