HgCdTe薄膜的反局域效应

利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明,电子的退相规律符合Nyquist退相机制.

La掺杂BaSnO_(3)薄膜的低温电输运性质

利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba_(0.94)La_(0.06)SnO_(3)薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>Tmin的高温区(Tmin为电阻最小值对应的温度),薄膜的电阻率随温度的升高而升高,并且与温度的平方呈线性关系.在T<Tmin的低温区域,薄膜的电阻率随温度降低而上升,并且电阻率随lnT呈线性变化,均匀无序系统中的电子-电子相互作用、弱局域效应以及Kondo效应均不能解释这种现象.经过定量分析,发现电阻率在低温下lnT的依赖关系源于颗粒间电子的库仑相互作用.同时,在Ba_(0.94)La_(0.06)SnO_(3)薄膜中也观察到霍尔系数RH与lnT呈线性关系,并且该线性关系也定量的符合金属颗粒体系中库仑相互作用的理论.薄膜断面高分辨透射电子显微镜结果表明,虽然薄膜整体呈现外延结构,但其中存在诸多条状非晶区域,这使得薄膜整体表现出类似金属颗粒膜的电输运性质.本文的结果为金属颗粒系统中库仑相互作用对电导率和霍尔系数修正理论的正确性提供了有力的支持.

试论企业成本管理中存在的问题及解决的对策

通过对目前企业成本管理中存在的成本观念模糊、成本管理滞后于形势发展、缺乏市场观念、缺乏现代化管理手段等问题的分析,提出了相应的解决对策。

HgCdTe反型层的磁输运性质

利用成本低廉的液相外延技术,成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件.在该器件中,观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台,证明样品具有较高的质量.测量零场附近的磁阻曲线,在HgCdTe-基器件中观察到反弱局域效应,表明样品中存在较强的自旋-轨道耦合作用.利用Iordanskii-Lyanda-Pikus理论,很好地拟合了反弱局域曲线.由拟合得到的自旋分裂能随电子浓度的增大而增大,最大达到9.06 meV根据自旋分裂能得到的自旋-轨道耦合系数同样随电子浓度的增大而增大,与沟道较宽的量子阱中所得到的结果相反.

弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

研究了低温(1.5K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制.所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.

高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子

利用化学束外延法制备了高迁移率的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱样品.在样品的低温磁输运测试中,观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass(SdH)振荡和零场自旋分裂引起的拍频.本文提出一种解析的方法,即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱,得到有效g因子的大小.