M-Z型极化DANS聚合物电光波导强度调制器研究

研究了Mach-Zehnder型极化聚合物电光波导强度调制器的制备工艺·器件采用DANS(4-dimethylamino-4′nitro-stlibene)聚合物为电光波导材料,由电光波导层、上下介质缓冲层、上下金属电极层构成五层波导结构·对五层光波导各层之间的光学、化学以及微加工工艺的相互兼容性进行了深入研究·采用紫外光漂白方法制备出侧壁光滑的条波导,采用钨丝电晕极化方法对DANS聚合物波导进行有效极化,使其具有电光特性·通过优化器件制备工艺,研制出工作波长为1300nm的M-Z型电光波导强度调制器原型器件·实验测得器件半波电压约为10V,调制带宽约为1GHz·

极化聚合物薄膜取向有序度及极化寿命的表征

研究了极化聚合物薄膜波导的退极化过程，提出了表征极化聚合物薄膜取向有序度和极化寿命的集成光学方法。采用集成光学中的棱镜耦合技术，测量极化前后聚合物薄膜光波导的各向异性有效折射率。通过求解各向异性介质光波导的模式本征方程，得到波导极化前后寻常光和非寻常光折射率的变化及其随时间衰减，进而得到取向有序度随时间的变化曲线。采用复合指数函数模型进行最小二乘曲线拟合，进而推测其极化寿命。实验中以键合型ＤＡＮＳ极化聚合物薄膜波导为例，叙述了波导制备和极化过程，给出了波导寻常光和非寻常光折射率随时间变化曲线以及取向有序度随时间变化曲线。通过对取向有序度随时间变化曲线进行最小二乘曲线拟合．确定其极化寿命约为１３４４天。

湿度传感器技术展望

随着工业的发展,湿度监测已广泛地应用在仪器仪表、自动控制系统,农业、气候和环境等各个领域。文中以近十几年的文献资料为基础,介绍了目前利用电学、声学和光学各种不同原理制作的湿度传感器,比较了采用陶瓷,半导体、聚合物和纳米等敏感材料制备的湿度传感器对其灵敏度、湿滞,恢复和响应时间等的影响,给出了一些市场上流行的湿度传感器性能指标。并对未来湿度传感器产品应用、制造材料、工艺的趋势做了展望。

脊形聚合物光波导制备及理论分析

报道了利用铝膜作掩模 ,通过紫外光照射制备键合型聚合物DANS PMMA脊形光波导的新方法。所制备的聚合物脊形光波导 ,其形状与通常的脊形波导相同 ,但内部折射率又与矩形波导类似。从理论上推导出该脊形波导的模式本征值方程 ,并给出相应的归一化通用曲线 ,可以供相应波导设计和制备作为参考。

MNA/PMMA有机薄膜光波导

研究出MNA/PMMA有机薄膜光波导。用棱镜耦合器进行了波导参数的测量,发现薄膜呈现各向异性,有较大的双折射。

等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状

大多数OLED都用ITO做阳极,为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染,通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状,给出了Ar、O2、H2、N2、N2O和CF4等离子体处理ITO后对平整度、功函数、接触角和OLED特性等的影响,在他人研究基础上得出结论:用等离子体对OLED阳极进行处理其器件特性不仅与处理ITO表面的气体种类有关,也与产生等离子体的条件有关。采用正交试验方法可优化等离子体处理工艺参数,获得高性能的OLED。

新型酞菁的光致发光性质研究

研究了2,3-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200nm厚)在300K下光致发光光谱。氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300K下出现了1 673nm激基缔合物峰。该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300K激基缔合物峰比在177K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因。随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强。由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1140nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大。浇铸膜的发光峰的半高宽为300nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100nm左右。

企业战略地图框架设计

战略地图是平衡计分卡的发展和升华,是描述和沟通战略的动态可视工具。它在战略层面和战术层面指导了企业战略的实施,使企业充分发挥战略的导向作用。

InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展

InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3～30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.

数字式半导体激光器恒流驱动器的上位机控制方法研究

论文以改进大功率半导体激光器恒流驱动器的稳定性和易操作性为目的,对基于USB接口的串口通信技术进行了研究,并利用面向对象编程的MFC编程模块成功编译了具有上位机控制功能的系统软件。论文的主要内容如下:1)从硬件角度分析现有的大功率半导体激光器恒流源的工作原理,剖析其负反馈电路的工作方式,并制定出上位机控制的基本方案。2)结合MFC编程软件,建立界面友好、功能全面的上位机控制软件。3)应用上位机控制软件,对不同的工作模式下的恒流源工作时电流进行采样,并利用Matlab对所得数据进行处理分析,实现对恒流源的稳定性测试。

键合型DANS聚合物光波导电晕极化及其二阶非线性衰减

对键合型ＤＡＮＳ聚合物薄膜光波导的电晕极化过程及其二阶非线性衰减特性进行了研究．采用本文给出的电晕极化参数，制成了具有较长极化寿命的极化聚合物薄膜光波导，为进一步研究其二阶非线性光学性质奠定了基础．

NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及光致荧光光谱等测试技术分析了薄膜的结晶性质、表面形貌、光电性质及掺杂元素N的价键特性。结果表明,NH3的掺杂会影响ZnO薄膜的结晶特性,薄膜虽然仍是(002)面择优取向生长,但同时也出现了ZnO的(100)及(101)面生长。在薄膜生长时N元素掺入到ZnO薄膜当中,并形成N—Zn、N—H、N—C键。C、H杂质的存在,使掺N ZnO薄膜表现为高阻,同时也影响了薄膜的光致发光特性。

集成微光机械振动传感器芯片制作工艺研究

介绍了一种新型集成微光机械振动传感器的工作原理和芯片制作工艺。以聚甲基丙烯酸甲酯为结构材料,采用旋涂和干法刻蚀技术,实现了光波导集成光路和悬臂梁-质量块微机械结构在硅基底上的集成。详细讨论了高分子聚合物微器件制作工艺中的关键技术、工艺难点以及解决措施。

Ⅱ型超晶格InAs／GaInSb红外探测材料

综述了近年来对InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果，给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3—25μm，有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe。

DNA芯片技术及国内外发展概况

DNA(脱氧核糖核酸)芯片技术90年代中后期发展起来的一种崭新技术,它是将生命科学和医学研究中所涉及的许多不连续分析过程(如样品制备、化学反应和分析检测等),通过采用微电子、微机械、化学、物理技术、计算机技术、生物操纵等工艺手段,集成到DNA芯片中,使样品的检测和分析过程连续化、集成化和微型化.这一技术的成熟和应用,将不但为21世纪的疾病诊断和治疗、新药开发、分子生物学、航空航天、司法鉴定。

侧链型聚合物DANS-PMMA脊形条波导的制备

有机聚合物的紫外漂白 ,经过一系列复杂的光化学反应 ,会使聚合物薄膜的折射率和厚度降低。在此基础上 ,利用金属掩模对聚合物薄膜进行选择性紫外漂白 ,制备出聚合物脊形条波导。紫外漂白不需要对聚合物薄膜进行光刻和腐蚀便可获得边缘和表面比较整齐和光滑的脊形条波导 ,对减少波导的散射损耗十分有利。本文介绍了利用紫外漂白和金属掩模方法制备侧链型聚合物DANS( 4 dimethylamino 4’nitro stlibene) PMMA( polymethylmethacrylate)脊形条波导的工艺过程 ,并对关键工艺进行了讨论。

聚合物脊形光波导的理论分析

从理论上推导出聚合物脊形光波导的模式本征值方程，给出了相应的归一化通用曲线，可供相应波导设计和制备作为参考。

金属包覆聚合物平板波导的微扰分析

用理想波导耦合模理论为基础的微扰方法分析金属包覆聚合物平板波导，谁得波导传播常数的近似解。经数值计算，分别求得传播常数的正确解与近似解，二者相比较，证明近似解具有较高的精确度。从而将求解金属包覆聚合物波导本征值方程的复杂复数运算简化成实数运算。