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基于GMI效应的高斯计的实现 被引量:2
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作者 高鹏建 滕功清 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2010年第1期53-56,共4页
针对以非晶丝作为敏感元器件研制的磁敏传感器具有高灵敏度,快速响应等特点。利用非晶丝的GM I效应,通过弱磁场感应电路、放大和提取电路、A/D转换和终端显示电路,将弱磁场转化为直观可视的数据显示,并最终产品化为一种新型高斯计。实... 针对以非晶丝作为敏感元器件研制的磁敏传感器具有高灵敏度,快速响应等特点。利用非晶丝的GM I效应,通过弱磁场感应电路、放大和提取电路、A/D转换和终端显示电路,将弱磁场转化为直观可视的数据显示,并最终产品化为一种新型高斯计。实验结果表明,这种新型高斯计的灵敏度为18mV/μT,最小分辨率为100nT,非线性误差为0.76%F.S,它在测量地磁方面有很好的应用前景。 展开更多
关键词 非晶丝 巨磁阻抗效应 弱磁场 高斯计
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