基于复合铁氧体基片的三倍频程超宽带微带环行器设计与仿真分析

通常利用单一铁氧体材料制成的微带环行器难以有超倍频程的带宽。根据一般微带环行器的设计理论,利用两种不同的铁氧体材料构成的复合基片设计并制作了一种工作在三倍频程带宽的超宽带微带环行器。仿真结果表明,该环行器在6~18 GHz的工作频带内,插入损耗(|S12|)小于1 d B,回波损耗(|S11|)大于20 d B,隔离度(|S21|)约19 d B,满足超宽带微带环行器的设计指标。除在整个工作频带内插入损耗有所增加且在低频段的6~6.5 GHz内出现了低场损耗外,实测结果与仿真结果基本吻合。文末讨论了实测结果和仿真结果之间出现低场损耗等差异的原因。

基于NMOS管的H桥铁氧体移相与开关驱动电路

介绍了一种铁氧体开关以及铁氧体移相器控制的新方案。方案基于传统的H桥驱动电路,采用了NMOS管构建了NMOSH桥,这种H桥较传统H桥驱动电路具有更快的开关速度、更大的功率容量和更小的能量损失。控制端采用FPGA进行控制信号的产生及输出,具有脉冲宽度调整功能,可根据不同的实际工程需求改变控制参数。驱动端电压可以在0~60V之间进行调整,可以控制负载电流方向,可实现大功率下最快频率600kHz的开关切换速度,通过电平兼容处理,兼容2~6V的控制信号输入。该驱动电路系统对磁调微波铁氧体器件具有很高的通用性。