一个检测半导体激光器质量的有效方法

对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．

溶胶-凝胶法制备V_2O_5为基体的薄膜材料及其应用

综述了以V2 O5为基体的薄膜材料的制备方法、结构及其特性 ,介绍了该材料在湿度传感器、电压开关和锂电池等领域的应用。

溶胶-凝胶法制备V_2O_5薄膜的气敏特性研究

本文研究了用无机溶胶凝胶法制备的 V2 O5 薄膜的 XRD结果及其气敏特性 .凝胶在 40 0℃下烧结 12 h后完全形成了 V2 O5 晶体 .掺 3wt% Pd+1wt% Au的 V2 O5 薄膜在较大范围内对乙醇具有较高的灵敏度 .加热电压为 5 .5 V时灵敏度达到最大值 .该气敏薄膜具有较好的选择性 ,NH3、H2 、CO、CH3COCH3等气体不干扰元件的测量 .元件的响应时间为15 s,恢复时间为 5 s.

TiO_2/V_2O_5双层薄膜的TMA气敏特性研究

报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄膜沉积在带有金梳状电极的陶瓷管和硅片上 ,进行了X射线衍射(XRD)分析 ,并且测量其对三甲基胺 (TMA)的气敏特性。结果发现该双层薄膜对TMA具有高灵敏度、良好的选择特性和快速的响应恢复特性。

用电导数技术筛选可见光半导体激光器

对 6 0只 6 70nm可见光量子阱激光器进行电导数测试 ,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系 ,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器快速筛选的好方法。

V_2O_5薄膜的电学性质及其应用

综述了V_2O_5薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。

1.3微米波长InGaAsP激光器产生的亚微微秒光脉冲的干涉自相关测量

建立了用步进电机扫描的干涉自相关仪。测量了用1.3微米波长InGaAsP激光器产生的0.45ps的光脉冲。根据干涉自相关函数判定该脉冲是没有调制偏移的双曲正割型光脉冲。

复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏特性研究

本文研究了复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏特性。复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏性能较复合钒酸好 ,而且其电阻随相对湿度的增加而减小 ,添加正硅酸乙酯 (TEOS)对其湿滞有明显的改进作用 ,含 5 wt% TEOS的薄膜的湿滞回差最小。同时器件的响应恢复较快。

具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器

本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果．所用的外延片是由分子束外延生长的，下镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器，上镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器及半反射半透明的金属膜组合构成．器件的电流注入区由钨丝掩蔽两次质子轰击形成．器件初步研制已实现了室温脉冲激射，阈值最低３２０ｍＡ，最大峰值功率可达９ｍＷ．

XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化

利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。

智能化气敏元件测试仪的研制

智能化气敏元件测试仪的研制＊管玉国戴国瑞高鼎三（吉林大学电子工程系吉林１３００２３）０引言当前，气敏元件的研制正在向纵深发展，对未知气体的识别也更加引人注目〔１～３〕。本文研制了一种智能化气敏元件测试仪。经验证，效果令人满意。仪器可以自动测试各种气敏...

晶闸管的关断过程及关断时间公式的修正

本文进一步闸明了晶闸管关断的物理过程,根据莫尔理论和电荷控制模型推导出一个包含晶闸管两个共基极直流电流放大系数的新的关断时间表达式。该公式充分体现了器件的导通过程与关断过程之间的联系,并用实验对公式进行了验证。

波长(频率)可调谐半导体激光器

波长或频率可调谐的半导体激光器在光通信等实际应用领域中有着重要而广泛的应用。文章立足于实际应用，从谐振腔的结构出发，以调谐机理为研究对象，对可调谐半导体激光器进行了分类研究。

用1.3μm半导体激光器直接调制产生2.1GHz超短光脉冲

报道了直接调制InGaAsP半导体激光器获得重复率为2.1GHz、脉宽为25～60ps的超短光脉冲。

用半导体激光器超高速电光采样技术测量微波信号

利用半导体激光器作为采样光源的超高速电光采样测试系统(时间分辨率最高可达16.7ps,电压灵敏度为0.26mVHz^(-1/2)).测量了1～5GHz的微波信号和同轴电缆传输线的色散展宽.

紫外写入制备普通单模光纤光栅

采用高压低温掺氢技术提高了普通单模光纤的光敏特性，利用相位掩膜法，通过紫外写入的方式，在普通含锗光纤上制备了光纤光栅，获得的Ｂｒａｇｇ反射波长为１５５２ｕｍ，峰值反射率约４８％，半高宽约１．２ｕｍ．

溶胶-凝胶法制备复合钒钼酸铵干凝胶薄膜及其湿敏特性研究

通过溶胶－凝胶法制备了复合钒钼酸铵Ｈ２－ｘ（ＮＨ４）ｘＶ１０ Ｍｏ２Ｏ３１＋δ＋·ｎＨ２０（ｘ＝０，１，２）干凝胶薄膜，对其进行ＴＸＲＤ和ＸＰＳ分析，同时研究了其温敏性能。

InP/InGaAsP条形半导体激光器中的瞬态温度特性理论计算

本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的时间变化关系.计算结果表明四元系条形激光器体内温度升高比三元系GaAs/GaAlAs激光器的温升低,有关原因在文中给予讨论.

腔面反射率对超辐射发光二极管输出特性的影响

本文用耦合速率方程，从理论上分析研究了超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的功率输出特性。主要讨论了腔面反射率对其功率输出特性的影响。研究结果表明，半导体激光器（ＬＤ）存在一最佳输出功率腔面反射率，随腔面反射率的降低，ＳＬＤ的功率曲线斜率减小，输出功率降低，光谱调制深度减小。增大后腔面反射率可以提高ＳＬＤ的输出功率，减小其工作电流。由于腔面反射率的降低，前后传输的光子在有源区内的分布的对称性发生了变化，表现为非均匀性，后向传输波大于前向传输波。最后，把理论计算结果同我们研制的１．３μｍ徐层结构超辐射发光二极管的实验结果作了比较，得到了较好符合。

1.3μm InGaAsP激光器电光采样技术测量超快速电信号

研究超高速器件和微波集成电路瞬态特性需要在时间畴测量非常快的电信号,这对测量手段的时间分辨率提出了更高的要求。以实用的高速采样示波器(Tck7104,带S4采样头,上升时间为25ps)已经不能完全满足测量的需要。我们建造了1.3 μm InGaAsP激光器超高速电光采样测试装置,采样光源是1.3 μm增益开关InGaAsP/IaP激光器。如果用以Ⅲ-V族材料为衬底的高速集成电路芯片代替微带采样器。