55CIS技术平台的N型STI隔离电阻测试研究

阐述晶圆可接受测试(WAT)是晶圆代工厂在出货前的一道重要工序。WAT测试结果的精准度决定着晶圆片能否顺利出货。因此,WAT工程师的一项重要工作是提高WAT测试的精确度以及减少测试问题。探讨chuck载物台以及信号线对于测试电阻及其他参数的影响,提出一种提高测试仪器精确度以及测试系统的评估方法。

CIS生产工艺对暗电流(Dark Current)性能的影响

研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响。通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark Current,DC)。实验数据表明,暗电流可改善30%~82.5%,可适用于不同像素尺寸(0.7~18μm)的CIS产品。

连线设计对四端法小电阻测试准确性的影响

阐述对于半导体晶圆的小电阻结构,通常采用四端法进行封装前的电性测试。在测试过程中,探针卡上的悬臂针会向前滑行到与其针痕方向垂直的金属引线位置,严重影响电性测试的准确性。通过连线设计改变传统的测试结构,避免在悬臂针前方的金属走线,有效降低非正常测试的发生。实验结果表明,改进后的结构在进行四端法测试时准确性增加38.5%,显著提高晶圆验收测试机台的测试效率和产能。

一种应用于半导体制造业的支持向量机SVM检测方法

提出一种支持向量机SVM的检测方法,用于半导体制造过程中特征参数检测。首先对SVM模型进行分析,结果显示2D SVM和模糊SVM模型效果最佳。然后提出一种将2D SVM和模糊SVM这两种模型结合的方法,证明了这种方法更有利于半导体晶圆厂检测产品的各种特征参数。