BYPT压电陶瓷的结构与介温特性研究

采用传统固相反应法,制备了(1-x)BiYbO3-xPbTiO3(x=0.95、0.90、0.85、BYPTx)压电陶瓷。XRD衍射图谱分析表明,在烧结温度为1150℃保温时间为2h的条件下,BYPTx陶瓷为纯钙钛矿结构,并具有较大的四方畸变度,c/a约为1.06。XRD衍射图谱分析还表明BiYbO3与PbTiO3固溶度不超过15%。BYPTx陶瓷的介温曲线显示其居里温度高达Tc=580℃,但BYPTx陶瓷的压电性能较弱,d33≈20pC/N。

掺铟钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷的制备及电学性能

采用固相反应法,制备了0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx,0.55≤x≤0.70)压电陶瓷,并对陶瓷样品的相结构,表面形貌和电性能进行了研究。结果表明,BiInO3和BiScO3-PbTiO3能够形成很好的固溶体,在1070℃烧结2h即可形成稳定钙钛矿结构的BISPTx陶瓷。当x=0.60时,BISPTx陶瓷具有优良的电学性能:d33=330pC/N,kp=0.423,tC=420℃。BiInO3的掺入可有效提高BISPTx陶瓷的tC,并提高其电阻率,降低漏导电流,使其在较高温度(300℃)下仍保持较低的tanδ(<0.05)。

BSYPTx压电陶瓷的结构与压电性能研究

采用传统固相反应法,制备了(1-x)(0.96BiScO3-0.04BiYbO3)-xPbTiO3(0.58≤x≤0.66,BSYPTx)压电陶瓷。XRD图谱分析表明,BSYPTx具有钙钛矿结构,BSYPTx陶瓷四方相到三方相的转变区域存在于x=0.64附近,即是该体系的准同型相界(MPB)。在相界附近,BSYPTx陶瓷具有较优良的压电性能:压电常数d33≈426 pC/N,机电耦合系数kp=0.52;介温曲线显示,BSYPTx陶瓷相界附近的居里温度TC=430℃。Yb3+的引入提高了BSPT陶瓷的电滞回线的矩形度,最大的剩余极化强度Pr=43μC/cm2。