针对电磁超声测温需求,利用串联的功率MOSFET为开关器件,设计一种同步驱动MOSFET的新型高速高压脉冲激励电源。该电源通过现场可编程门阵列(FPGA)产生脉冲触发信号,经专用驱动电路驱动功率MOSFET实现幅值0~1.5 k V、脉冲频率10 Hz^1.5 k...针对电磁超声测温需求,利用串联的功率MOSFET为开关器件,设计一种同步驱动MOSFET的新型高速高压脉冲激励电源。该电源通过现场可编程门阵列(FPGA)产生脉冲触发信号,经专用驱动电路驱动功率MOSFET实现幅值0~1.5 k V、脉冲频率10 Hz^1.5 k Hz、脉冲宽度3~30μs及脉冲个数在1~100的内高压的精确控制。实验数据表明,该电源系统设计合理,上升时间达到纳秒级,基本能满足电磁超声应用要求。展开更多
文摘针对电磁超声测温需求,利用串联的功率MOSFET为开关器件,设计一种同步驱动MOSFET的新型高速高压脉冲激励电源。该电源通过现场可编程门阵列(FPGA)产生脉冲触发信号,经专用驱动电路驱动功率MOSFET实现幅值0~1.5 k V、脉冲频率10 Hz^1.5 k Hz、脉冲宽度3~30μs及脉冲个数在1~100的内高压的精确控制。实验数据表明,该电源系统设计合理,上升时间达到纳秒级,基本能满足电磁超声应用要求。