负电子亲和势材料及其在冷阴极中的应用

从20世纪60年代Ga As被首次发现具有负的电子亲和势起,负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料,负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级,使得材料导带中的电子更易于从表面发射到真空中,因此该类型材料成为电子发射的理想材料。本文从定义、主要材料分类以及在冷阴极中的应用三个部分介绍了负电子亲和势材料,并对该材料应用的瓶颈和未来发展方向做了简要总结。

在扫描电子显微镜中原位操纵、加工和测量纳米结构

在电子显微镜中对纳米材料和纳米结构进行原位测量是了解纳米材料的结构与性能关系的最重要手段,并且,在电子显微镜中操纵和加工纳米材料与纳米结构还可研究新结构和新器件。由于扫描电镜有大的样品室、可较容易地引入多个多种测量和操纵探针、并可配备多种探测器从多个角度对同一个样品进行表征,使得扫描电镜中的原位研究在纳米材料和纳米器件研究方面有独特的应用。本文重点回顾作者近年来在扫描电镜中原位研究方面的一些工作进展。主要包括一系列原位操纵、加工和测量方法的发展,及对碳纳米管的力学和电学特性的研究。

片上电子源的研究现状(二)

本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发射电流密度和发射效率)等方面进行比较,分析各种片上电子源的优劣点,为片上电子源的发展现状做一个简单的总结。

支持向量机在原油采收率模型中的应用

利用传统的数学统计方法计算采收率具有较大的困难.在对已知油藏最终采收率分析的基础上,提出了一种基于支持向量机的油藏建模方法,将影响采收率的主要因素作为输入信息,建立诸因素与采收率之间的关系,得到采收率预测模型.利用该模型计算出的采收率与实际最终采收率基本吻合,最大拟和误差为0.142%,最大泛化误差为2.744%.仿真结果表明,该模型能较好地建立各因素与最终采收率的复杂非线性关系,反映油藏的本质,具有较高的预测精度.

片上电子源的研究现状（一）

本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发射电流密度和发射效率)等方面进行比较,分析各种片上电子源的优劣点,为片上电子源的发展现状做一个简单的总结。

基于氧化硅隧穿电子源的高压力微型电离真空传感器

微型电离真空传感器在微小空间和特殊范围的压力探测中有着非常重要的应用。然而,之前的微型电离真空传感器存在或体积大或工作电压高或能耗高等缺点。以新型氧化硅隧穿电子源为阴极制备了一种高压力微型电离真空传感器,该传感器结构紧凑、加工简单、体积微小,仅为15 mm×15 mm×2 mm(长×宽×高),工作电压低、探测量程宽、探测压力上限高。实验结果显示,传感器在3.50×10^(-2)~1.02×10^(2) Pa压力范围内具有很好的线性响应。研究为解决传统电离真空传感器和皮拉尼真空传感器在此压力范围内探测不准确的问题提供了一种可行的方案,有望推动电离真空传感器在更多重要领域应用。

多壁碳纳米管互连的单壁碳纳米管晶体管的频率特性

用多壁碳纳米管(MWCNTs)作为互连线制备出了单壁碳纳米管场效应晶体管(SWCNT FETs),对比研究了用多壁碳纳米管作为互连线和用金属作为互连线的两种情况.结果表明,二者的直流(DC)性能基本一致,而用多壁碳纳米管作为互连线的交流(AC)性能略优于用金属作为互连的情况.交流测量表明,至少在20MHz的频率下,多壁碳纳米管互连的单壁碳纳米管晶体管仍有很好的响应速率,器件能够正常工作.

基于虚拟仪器的纳米器件电学性能测量系统的实现

基于虚拟仪器技术实现了I-V曲线和微分电导的自动化测量系统。为了抑制噪声的影响,应用交流技术开发了有更高精度的锁相微分电导测量系统。实验数据的采集、处理和分析均采用Measurement Studio工具开发完成。系统测试的结果表明系统具有很高的精度和可靠性。展示了用本系统与纳米探针结合在扫描电子显微镜中原位测量单根碳纳米管的结果。

催化裂化装置仪表DCS技术改造

介绍催化裂化装置仪表DCS技术改造过程。

片上电子源的真空阳极键合

本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪对键合界面进行真空漏率的检测,提出了一种可改善电极跨越键合界面引起界面漏气的简单方法。

基于碳纳米管的片上微型热发射电子源

纳米科技的飞速发展和半导体微加工技术的日益成熟使热电子发射源的微型化、片上化、集成化成为可能。本文回顾总结了近年来基于碳纳米管材料制备片上微型热发射电子源的研究工作,包括碳纳米管侧壁热电子发射的机制研究、基于碳纳米管的微型热发射电子源器件阵列的片上集成与批量制备以及微型热发射电子源器件栅电极的单片集成。基于碳纳米管材料的片上微型热发射电子源具有低工作电压、高发射电流密度、高稳定性与可重复性、较低的真空度要求、高均匀性与高集成度等优点,是实用的微型电子源器件的一种可选途径。

片上微型真空泵的研究进展

近年来,真空电子器件和系统正朝着微型化、片上化和集成化的方向发展,这使真空电子器件具有了更加广阔的应用前景。获得一定的真空环境是真空电子器件正常工作的必要条件,利用真空泵来实现真空的获得是最有效的方法。但是传统的真空泵体积大、质量大,不能满足片上微型真空电子器件的应用要求,因此以获得片上真空环境为目的的芯片级微型真空泵的研究具有重要意义。本文分为压缩型真空泵和吸附型真空泵两部分来介绍片上微型真空泵的研究进展,包括不同类型真空泵的工作原理、性能表现、优缺点等。

低维碳材料的热电子发射及其在真空电子学的应用

真空电子器件的微型化是真空电子学的一个重要发展趋势。随着微纳加工技术的发展和新材料的发现与应用,纳米尺度真空沟道三极管取得了一定的进展。当前实现真空三极管微型化的主要手段还是基于场发射的阴极,而场发射对发射部位原子结构的强依赖决定了在集成时不可避免遇到均一性和稳定性差的问题。我们发现了碳纳米管和石墨烯具有不同于传统热电子发射的热发射新机制,基于半导体微加工技术,利用石墨烯和碳纳米管作为电子发射材料,实现了热阴极的微型化、片上化和阵列化,并进一步利用石墨烯微型热阴极实现了一种新结构的石墨烯真空三极管。石墨烯微型热阴极具有工作电压低(2~4V)、响应时间短(<1μs)、发射电流可大幅度调制、可控性好等特点。石墨烯真空三极管的开关比高达106,亚阈值斜率仅为120mV/dec,工作电压不足10V,与石墨烯固态三极管相当。我们还演示了石墨烯真空三极管的片上集成,将两个单极性石墨烯真空三极管集成在一起实现了双极性的真空电子器件。由于石墨烯真空三极管具有开关性能好、工作电压低、可集成等特点,未来有望基于石墨烯真空三极管实现更复杂的器件和真空集成电路。

关于青原区城镇化的调查与思考

通过对青原区城镇化构建体系进行了分析,对如何推进城镇化快速发展进行了思考,提出青原区城镇化发展之路.青原区城镇化对促进区域经济的发展,提高农村居民收入具有重要意义.