p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱

采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的InGaN基黄绿双波长LED外延材料,研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流子分布及外量子效率(EQE)的影响。通过LED变温电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。结果表明,100 K小电流时随着电流密度的增大,三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值越来越大,且5.5 A·cm^-2的电流密度下,随着温度从300 K逐步降低至100 K,三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值也越来越大,说明其载流子都在更靠近p型层的位置发生辐射复合。三组样品的p-GaN插入层厚度为0,10,30 nm时,EQE峰值依次为29.9%、29.2%和28.2%,呈现依次减小的趋势,归因于p-GaN插入层厚度越大,p型层越远离有源区,空穴注入也越浅。电子阻挡层前p-GaN插入层可以有效减小器件EL光谱中绿光峰随着电流密度增加时峰值波长的蓝移(33 nm),实现了对低温发光光谱的调控。

摆动振荡参数对A356铝合金半固态浆料微观组织的影响

采用摆动震荡法制备了A356铝合金半固态浆料,研究了浇注温度、振幅及转速对半固态浆料微观组织的影响规律。结果表明：振幅及转速对该铝合金半固态浆料微观组织影响不大,浇注温度影响最为显著。随着浇注温度的升高,当量直径逐渐增大,形状因子逐渐减小。合理的浇注温度为620~630℃。要想获得比较圆整的球状晶,其转速应大于60 r/min,振幅大于0.5π。