双晶衍射仪的计算机改装

对双晶衍射仪实行改造，用一台ＰＣ＿４０１微机直接控制和进行小角散射等测量。实现了自动测量、数据处理及显示、输出等多种功能，扩大了应用范围。

呼吸尘埃中游离晶态α－石英的X射线衍射外标法测定

本实验用Ｘ射线衍射外标法测定了极微量（０．１～５ｍｇ）呼吸尘埃中游离晶态α－ＳｉＯ＿２的含量。其精确度（相对偏差）小于１０％，达到常规微量（５～１０ｍｇ）样品的分析精确度。

粉煤灰陶瓷墙地砖的制备及其微观结构的研究

本文采用粉煤灰为主要原料,根据粉煤灰的特性,选择了合理的配合料,在较低的烧成温度下研制出性能优良的粉煤灰陶瓷墙地砖.通过X射线衍射和扫描电镜分析,较为详细地研究了粉煤灰墙地砖的微观结构.研究结果表明:粉煤灰陶瓷的显微结构是以粉煤灰原料中的非晶态玻珠和少量的结晶矿物石英及其莫来石为骨架,烧成时产生的大量液相致密地填充骨架而构成的,其烧结属于液相烧结.

InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。

InGaAsP／InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹

讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜厚度的精确性。研究了影响干涉指纹的因素，为正确识辨材料结构和改进生长工艺提供方便。

InGaAsP／InP异质结构材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹研究

双晶衍射摇摆曲线的全面分析需用计算机模拟高木方程才能得到，其信息广但不直观。本文讨论了ＭＯＣＶＤ外延片Ｘ射线衍射中的干涉指纹，指出了用干涉指纹测试薄膜厚度的精确性，讨论了干涉指纹出现的一些特征，使能直观地得到一些外延片的结构信息，为识别和正确使用干涉指纹估算薄层厚度提供依据。

X射线小角散射测定氧化铝粉末中微孔尺寸的分布

根据 X射线小角散射 (SAXS)原理 ,采用分割分布函数法 ,测定了氧化铝粉末中的微孔尺寸 (4nm～ 2 30 nm )和尺寸分布。方法简单易行 ,合理可靠 。

低温烧成粉煤灰陶瓷墙地砖坯体微观结构及烧成机理的研究

本文采用粉煤灰为主要原料,在较低的烧成温度下研制了性能优良的粉煤灰陶瓷墙地砖。着重研究了粉煤灰陶瓷的显微结构,分析了瓷体在烧成过程中的物理化学变化,探讨了粉煤灰陶瓷的低温烧成机制。进行x射线衍射和扫描电子显微镜研究,结果表明:粉煤灰陶瓷的显微结构是以粉煤灰原料中的非晶态玻珠和少量的结晶矿物石英及莫来石为骨架,烧成时产生的大量液相致密地填充骨架而构成的。粉煤灰陶瓷的烧结属于液相烧结,这种烧成机制决定粉煤灰陶瓷可以在低温下烧成。

用双晶衍射仪作小角散射测量

双晶衍射仪的分辨本领高,测量范围小,最适合作小角散射测量。可是长期以来都认为它的背底较重,能掩盖小角散射的讯号而未能普遍应用。本文指出这种背底主要来自两个方面:一是第二晶体的荧光;一是晶体摆动曲线的尾部效应。前者可以用波高分析器来扣除。本文提出一种对尾部效应的扣除方法。经实测验证,这个方法是满意的。

用双晶衍射法测定超微细粉粒度

本文讨论了用X射线双晶衍射法测定超微细粉粒度及其分布时,测量背底的来源、它的扣除及实验数据校正等问题,使高精度的X射线双晶法实际用于小角散射测量成为可能。

非球形颗粒形散函数的计算方法

用小角散射测量粒度分布，通常假定颗粒形状是球形，实际上颗粒形状是很复杂的．统计地将颗粒形状归并为类球形、类盘形和类杆形三种．指出了计算形散函数的一般方法；并计算了类球形颗粒的形散函数，给出调节参量δ，可供一般分析选用．

CSH凝胶结构的研究

采用Ca(NO_3)_2和Na_2SiO_3合成了CSH凝胶。通过详尽的XRD分析,证实了CSH凝胶的层状结构,其层间距为11.6～14.2A;并以DSC和非蒸发水量的实验结果加以证实。对其中水的作用也进行了研究,实验结果有助于建立完整的水泥石结构模型。

测定纳米晶粒尺寸分布的分峰法

本文提出一种测定纳米晶粒尺寸分布的新方法－分峰法，其可靠性用规定超微粉颗粒大小分布的Ｘ－射线小角散射法（ｓａｘｓ）进行了验证，并用它成功地测定了ＳｎＯ２薄膜和层状石墨的晶粒分布。