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半导体保护器件阴极短路区的设计
被引量:
1
1
作者
鲁亚翠
刘佑宝
《电子器件》
EI
CAS
2006年第3期741-744,共4页
为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。
关键词
半导体保护器件
阴极
短路区
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职称材料
题名
半导体保护器件阴极短路区的设计
被引量:
1
1
作者
鲁亚翠
刘佑宝
机构
西安微电子技术研究所
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第3期741-744,共4页
文摘
为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。
关键词
半导体保护器件
阴极
短路区
Keywords
semiconductor protection device
cathode
short circuit section
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
半导体保护器件阴极短路区的设计
鲁亚翠
刘佑宝
《电子器件》
EI
CAS
2006
1
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