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胺结构调控硅通孔电镀铜单组分添加剂的性能
被引量:
1
1
作者
张媛
鲁冠斌
+2 位作者
王旭东
程元荣
肖斐
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第10期796-803,共8页
通过季铵化反应对硅通孔(TSV)铜互连单组分电镀添加剂Tetronic 701(TE701)中乙二胺结构进行了电荷与空间位阻调控,获得两种甲基化季铵盐和两种磺酸丙基化季铵盐衍生物。采用恒电流测试和循环伏安法分析了衍生物的电化学性能,通过TSV芯...
通过季铵化反应对硅通孔(TSV)铜互连单组分电镀添加剂Tetronic 701(TE701)中乙二胺结构进行了电荷与空间位阻调控,获得两种甲基化季铵盐和两种磺酸丙基化季铵盐衍生物。采用恒电流测试和循环伏安法分析了衍生物的电化学性能,通过TSV芯片电镀铜研究了不同衍生物的电镀性能。结果表明,季铵盐衍生化虽未改变TE701作为添加剂的作用机制,但乙二胺结构上正电荷增加会导致TE701衍生物在阴极表面的吸附增强,从而减少脱附位点,并减缓TSV上部侧壁的铜沉积;而乙二胺连接带负电的磺酸丙基则会显著降低TE701衍生物的吸附强度,使其失去超填充性能。
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关键词
铜互连
电镀
硅通孔(TSV)
添加剂
Tetronic
701(TE701)
下载PDF
职称材料
题名
胺结构调控硅通孔电镀铜单组分添加剂的性能
被引量:
1
1
作者
张媛
鲁冠斌
王旭东
程元荣
肖斐
机构
复旦大学材料科学系
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第10期796-803,共8页
文摘
通过季铵化反应对硅通孔(TSV)铜互连单组分电镀添加剂Tetronic 701(TE701)中乙二胺结构进行了电荷与空间位阻调控,获得两种甲基化季铵盐和两种磺酸丙基化季铵盐衍生物。采用恒电流测试和循环伏安法分析了衍生物的电化学性能,通过TSV芯片电镀铜研究了不同衍生物的电镀性能。结果表明,季铵盐衍生化虽未改变TE701作为添加剂的作用机制,但乙二胺结构上正电荷增加会导致TE701衍生物在阴极表面的吸附增强,从而减少脱附位点,并减缓TSV上部侧壁的铜沉积;而乙二胺连接带负电的磺酸丙基则会显著降低TE701衍生物的吸附强度,使其失去超填充性能。
关键词
铜互连
电镀
硅通孔(TSV)
添加剂
Tetronic
701(TE701)
Keywords
copper interconnection
electroplating
through silicon via(TSV)
additive
Tetronic 701(TE701)
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
胺结构调控硅通孔电镀铜单组分添加剂的性能
张媛
鲁冠斌
王旭东
程元荣
肖斐
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
1
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职称材料
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