半桥结构中的SiC MOSFET串扰电压建模研究

SiC MOSFET凭借着低开关损耗、高工作频率与高工作温度点等优点,逐渐在高效率、高功率密度与高温的应用场合取代传统的硅功率器件。然而,在高速开关中带来的栅极串扰现象严重制约SiC器件的开关速度。传统的串扰抑制方法重点关注由栅极–漏极寄生电容引入的干扰电压,往往通过减小驱动回路阻抗的方式来降低串扰电压。该文基于SiC MOSFET器件的开关模态,提出考虑共源电感的分段线性化串扰电压模型。该模型基于器件数据手册及双脉冲实验提取的参数,考虑栅极–漏极电容、共源电感、体二极管反向恢复等非理想因素的影响。对比不同电压点、电流点与电阻值下实验与模型的输出结果。该模型表明,串扰电压是由器件栅极–漏极电容、共源电感与驱动回路阻抗共同作用的结果。单一降低驱动回路阻抗的方式对串扰电压的抑制效果有限。基于提出的模型,该文给出串扰电压抑制的指导方法,可直接用于SiC MOSFET驱动电路的设计。

中压大容量传动系统的直流母线谐振建模及抑制方法研究

以中压电机对拖测试平台为例,分析了中压大容量传动系统中母线电容与线路电感谐振问题的产生机理、影响因素和解决方案。首先提取谐振网络参数,建立网络模型,然后通过定量计算建立谐振网络的传递函数;从激励源和响应两个部分入手,定量分析改变线路电感对谐振现象的影响程度,提出了一种通过改变载波相位抑制谐波的新方法并分析其作用机理,最后通过仿真验证了理论分析的正确性。