正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比

正向小注入下分析了P^+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比C_D/C_x。

硅n^+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象

在研究硅n^+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。

稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数

利用真空淀积和真空热处理(1050℃,20h)向Si单晶中引入了稀土元素Ce,热处理过程中Ce首先与Si形成合金,然后向Si中扩散,于是在Si中形成Ce的扩散层。用二次离子质谱(SIMS)技术测定了Ce的纵向相对浓度分布,并据此分析了Ce在Si中的扩散系数。并在77—450K范围内测量了扩散层的平均电导率。