大偏角半导体级激光器用砷化镓晶片清洗方法

采用常规的碱性清洗液清洗大偏角半导体级激光器用砷化镓晶片,外延后会出现几万颗缺陷点。清洗完成后的晶片用X射线光电子能谱(XPS)分析,发现其氧化层中氧化镓的相对含量较大,晶片表面氧化物含量相对较少。针对该问题提出了解决办法,即在普通碱性清洗液之后,通过添加酸性清洗液来增加氧化层的厚度,从而调整氧化镓的含量,最终达到减少外延后异常点的目的。