低频小型化兰姆波谐振器的研究

针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影响。结果表明,特定结构下,与常规声表面波相比,A0模式兰姆波声速较小,机电耦合系数较大,有利于低频声学滤波器小型化设计。通过研究不同结构对谐振器A0模式兰姆波的横向模态的影响,实现了杂波抑制。

SiO_(2)/W反射叠层的分布电容对体波谐振器的影响

该文使用SiO_(2)和金属材料钨(W)构造布喇格反射叠层,将其应用于由横向电场激励体声波谐振器(XBAR),并分析了金属层对谐振器性能的影响。所设计的谐振器以128°YX-切铌酸锂为压电层,Al为电极,SiO_(2)和W为周期层叠结构,单晶硅作为衬底的固态装配型谐振器(SMR),利用叉指电极换能器(IDT)激发出A1模式。首先计算声阻抗层厚度对SiO_(2)/W叠层传输系数的影响,得到中心频率为3.7 GHz的布喇格阻带。横波(主模)在经过叠层时被反射,纵波(杂模)则部分地泄露到衬底。由于钨具有电导性,致使IDT与钨之间形成并联分布电容,改变了原有的电场分布,导致谐振器的耦合系数下降。通过实验测试谐振器的实际性能,获得耦合系数为12%。虽然W具有高声阻抗,但分布电容的影响恶化了电气参数。

三毫米低相噪锁相系统研究

采用锁相方法，解决了三毫米波信号源的高稳定和低相噪问题。经测试，９２．６ＧＨｚ时其相位噪声指标（傅氏频率为１ＫＨｚ时）为－７５ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散优于－５５ｄＢｃ，输出功率大于１０ｍＷ。

WCDMA线性功率放大器设计

针对WCDMA信号具有高峰均功率比的特点,应用微波CAD软件对所设计的电路进行了仿真和优化,输出匹配电路采用微带加并联电容的混合结构实现共轭匹配。设计了一个高线性功率放大器,制作了功率放大器模块,并对该功率放大器模块进行了基本参数测试。测试结果为当输出功率达到40dBm、峰均比为10.57dB时,邻道抑制为50.64dB(@5MHz)、66.29dB(@10MHz),EVM=1.85%,输出效率为12%,满足国际标准3GPP的要求。

Ka波段频率合成器

本文介绍了一种基于毫米波谐波混频、中频锁相的Ka波段频率合成器的设计方案及实现结果合成器的频率范围为26．5～40GHz，输出功率大于＋5dBm，频率步进值为1MHz，相噪指标为（10kHz）＜－65dBc／Hz，杂散低于－55dBC．

Ka波段锁相系统研究

利用多环方案,研制了八毫米波锁相源系统。实验表明,34.7GHz频率点输出的相位噪声指标(傅氏频率为1kHz时)为-78dBc/Hz,杂散优于-60dBc,输出功率大于40mW。

一种模拟预失真技术的宽带功率放大器的研究

介绍了一种新的应用于WCDMA的射频高线性功放系统,采用模拟预失真技术,预失真信号由肖特基二极管的非线性产生,通过该预失真信号抵消主功放的互调成分(IMD),可以大幅度提高射频功率放大器的线性度。将此预失真器应用于WCDMA16W射频系统中,可以使ACPR改善16dB左右。

毫米波频率综合技术研究

本文阐述了Ｋａ波段频率综合器的研究方案及实现方法，主要包括毫米波主环、微波参考环和中频锁相环的构成，以及用此方法设计实现的输出频率为２６．５～４０ＧＨｚ，频率间隔１ＭＨｚ，相位噪声指标￡（１０ｋＨｚ）＜－６５ｄＢＣ／Ｈｚ，杂散优于－５５ｄＢＣ，输出功率大于＋５ｄＢｍ的毫米波频率综合器。论文同时研究了毫米波频率综合器中所需的微波参考源，其频率范围为２．６１～３．９６ＧＨｚ，相位噪声指标￡（１０ｋＨｚ）＜－（８８～９３）ｄＢＣ／Ｈｚ，输出功率＋１６ｄＢｍ，杂散和谐波抑制优于５５ｄＢ。

射频电路教学中的理论与工程实践

通过对射频电路教学的特点进行分析,探讨射频电路理论学习与实验的关系。提出在理论教学中穿插以仿真软件实现的验证实验,以加强学生对理论知识的理解,同时提出将开放式实验引入到射频电路实践教学中。通过循序渐进的开放式实验,以及针对性的工程实践能力训练,使学生能够将射频电路理论学习与工程实践良好地结合起来,消除理论学习与工程实践的脱节,提高学生的理论水平以及工程实践能力。

微波锁相环中取样鉴相器

本文阐述了一种用于微波频段的取样鉴相器的工作原理,并对它进行了详尽的分析。讨论了脉冲宽度对鉴相灵敏度及取样效率的影响,通过测试,设计出来的脉冲取样鉴相器在X波段及其以下波段均有鉴相输出。

具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究

为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的Al N压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×10~4,对应的f·Q乘积为1.29×10^(12)。谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1,减小了谐振器到基底的能量耦合,从而降低能量损耗并提高谐振器Q值。通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模,两种方法的模型结果一致,说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗,从而有效地提高横向振动模态Al N压电谐振器的Q值。

S波段频率综合技术研究

本文论述的Ｓ波段频率综合器，频率范围是２．６１～３．９６ＧＨｚ，频率步进为２．５ＭＨｚ，相位噪声指标为￡（１０ｋＨｚ）＜－（８８～９３）ｄＢｃ／Ｈｚ，长期频率稳定度为１×１０－９／日，杂散抑制优于５５ｄＢ，谐波抑制优于５０ｄＢ，输出功率大于１４ｄＢｍ。

微波信号源中的屏蔽和电磁兼容

本文阐述电磁兼容和屏蔽的分析，有利于微波信号源的设计。电路板设计、机械结构、接地、滤波都是电磁兼容的有效方法。建立数学模型有利于解决电磁兼容方面的问题。

W CDMA接收系统中邻通道干扰研究

本文对3G的WCDMA中的ACS参数进行分析,解释33 dB的理由。并对实际电路的RF接收的ACS指标进行测试,设置测试的中心频率是2 110 MHz、2 140 MHz和2 170 MHz 3个高中低频率点,测得在偏离中心频率点+/-5 MHz的调制干扰信号值为-48 dBm到-42 dBm之间(BER=0.001时),可得幅度裕量在3.9 dB到9.2 dB之间,满足3GPP中的干扰信号-52 dBm电平要求。

140GHz MEMS矩形波导滤波器

设计并实现了一种采用微机械制造(MEMS)技术加工的D波段矩形波导膜片滤波器.采用有限元仿真软件HFSS分析了滤波器内腔镀膜厚度、粗糙度以及感性膜片厚度对滤波器主要性能的影响.采用MEMS深刻蚀工艺(DRIE)成功加工出了滤波器主体结构.通过完成结构深刻蚀、金属电镀和键合等关键工艺,首次制造出了D波段MEMS波导滤波器.样品测试结果为插入损耗0.4～0.7 dB,中心频率(140±3)GHz,带外抑制为≥18 dB,样品主要技术指标与设计值符合.

MEMS技术在THz无源器件中的应用

太赫兹技术将在未来高精度频谱探测技术、高分辨率成像和高性能通讯等应用前景良好。太赫兹技术处于电子学与光子学领域的交叉领域,太赫兹器件的尺寸在数十微米到毫米量级,传统的机械加工技术很难达到加工精度要求,甚至无法加工。MEMS技术在太赫兹器件的加工方面具有巨大的优势。总结了目前采用DR IE,LIGA等工艺加工太赫兹器件的研究现状,包括太赫兹传输波导器件、太赫兹传输线器件、慢波结构和特种复合结构的加工。分析了MEMS加工工艺的优缺点和在太赫兹器件加工中的应用前景。

高频数字锁相环的研究

】论文阐述了１００ＭＨｚ数字锁相环的设计过程。用１０ＭＨｚ晶体振荡器对１００ＭＨｚ数字压控振荡器进行锁相，使１００ＭＨｚ输出信号指标得到很大改善。论文还分析了各单元电路，关键点时域波形测试。

现代频率合成技术的研究进展

阐述了频率合成技术在现代电子系统中的重要性。归纳了直接式、间接锁相式、直接数字以及混合式频率合成技术,简述了这些频率合成技术的原理,比较了它们的优缺点。调查了国内外的频率合成技术的发展现状,给出了一些专业公司的频率合成产品的指标。

一种S频段高性能频率合成器的设计与实现

设计了一种高性能频率合成器,采用直接数字合成(DDS)与直接模拟合成相结合的方式,实现了S频段1 Hz细步进输出,频率捷变时间小于800 ns,并达到杂散抑制优于-65 dBc、相位噪声优于-115 dBc/Hz偏离载频1 kHz处的高性能指标。

太赫兹微加工波导滤波器

该文提出应用微加工(Micromachining)技术设计制作太赫兹6阶并联电感耦合波导带通滤波器的方法。立足于现有工艺条件,通过分析加工因素对滤波器电磁性能的影响,将工艺和设计参数相互折中达到优化设计的目的,避免因工艺原因造成的器件性能急剧恶化,最终得到插入损耗小、可靠性好、可集成的太赫兹滤波器。采用微加工深刻蚀(ICP)、溅射电镀金属、键合等工艺步骤,最终制作完成的单个微加工滤波器划片后体积为24.0 mm×5.0 mm×1.66 mm。应用可调测试夹具固定微加工滤波器,通过功率计测试其功率衰减,得到其中心频率为141.5 GHz,3dB带宽为10.6%,中心频率处功率衰减小于1 dB,验证了工艺方法的有效性。