MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格

本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10^(20)/cm^3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了结构参数对应变弛豫及SLS特性的影响,结果表明,所得样品不仅具有很高的空穴浓度,而且具有较窄的等效禁带宽度,可望用于GaAs系HBT基区的制作。