水面舰艇反无人机技术发展研究

目前水面舰艇面临的主要空中威胁为各种亚音速和超音速的反舰导弹,但随着无人机的快速发展和大量使用,无人机及其携带的精确制导武器正逐步成为水面舰艇新的重要威胁。现有舰载防空手段对无人机拦截效费比低、作战效能差,因此为水面舰艇提供低成本、高效能的无人机反制手段具有重要现实意义。本文对现有无人机装备进行分类总结,分析了水面舰艇面临的潜在无人机威胁;通过调研当前主流反无人机装备的作战能力及应用特点,结合当前无人机水面作战典型样式和水面舰艇防空作战能力,论述了水面舰艇反无人机技术目标探测复合化、拦截手段多样化、火控系统一体化、武器装备模块化以及装备成本最小化的发展趋势;同时,分析了舰艇反无人机涉及的关键技术,以期为舰艇反无人机技术发展提供参考。

0.25μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理

GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境。研究了高温与电应力对0.25μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响。该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要受陷阱辅助发射机制和隧穿电流机制的影响。建立模型,对不同温度下栅极漏电流曲线进行拟合,结果表明,栅极漏电流在常温下由隧穿电流机制主导,在高温下由陷阱辅助发射机制主导。在高温关态应力下对栅极漏电流随应力时间变化的过程进行表征,从时间层面再次验证了两种机制在不同温度下发生转变的过程。

一种S波段薄片型TR组件的设计

介绍了一种S波段薄片型TR组件的设计方案,包括TR组件的功能组成、过渡设计、结构设计。给出了该组件的关键指标测试值,对设计结果进行了验证,实现了TR组件的小型化设计。