湿法刻蚀条件对TFT中Cu电极坡度角和均一性的影响及工艺参数优化

目的 在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)产线的栅极刻蚀制程,明确大气压等离子体(Atmosphere Pressure Plasma,APP)清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、坡度角)的影响规律,并获得最佳工艺条件,进而提升良率。方法 以APP清洗功率、清洗时间和刻蚀时间为影响因素,以关键尺寸偏差(CD Bias)、均一性、坡度角作为因变量,开展正交试验,明确因素影响重要性顺序;然后,对Cu电极坡度角的形成和刻蚀均一性变化进行分析;最后,采用回归分析获得刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式。结果 结果表明:刻蚀时间对刻蚀性能的影响最大,对APP清洁时间和功率的影响较小。刻蚀时间延长,关键尺寸偏差(CD Bias)增加、均一性变差、坡度角变大。为改善均一性和平缓坡度角,应缩短刻蚀时间。最佳工艺组合为:刻蚀时间85 s,APP电压9 kV,APP传输速度5 400 r/min。结论 刻蚀时间延长,未被光刻胶覆盖的Cu膜层被完全刻蚀,形成台阶,该台阶使刻蚀液形成回流路径。沿着回流路径,刻蚀液浓度、温度逐渐下降,刻蚀均一性由此恶化,坡度角因此增加。采用回归分析得到的刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式,为预测刻蚀效果和优选刻蚀时间提供了依据。

关于高职院校大学生就业能力培养的思考

当前大学生就业难的关键问题之一是就业能力的不足。大学生就业能力包括专业能力和专业外能力。结合与用人单位的访谈和调查,阐述了高职院校在大学生就业能力培养中所扮演的角色及其相应的对策,并指出高校在培养学生能力中可能产生的误区。

高速电主轴系统的在线动平衡及其仿真研究

动平衡技术是高速电主轴的关键技术之一。在这项研究中,基于电动机工作原理的电磁式间接在线动平衡头和基于影响系数法动平衡控制的电磁式混合在线动平衡头都是简单可靠并适用于高速电主轴系统的结构,结合二者优点进行优化设计,实现对HC120cg-22000/6电主轴的"实时节能"的在线动平衡补偿。通过Pro/E建模和Adams仿真分析,结果证明此设计方案能够使平衡后主轴达到高速电主轴平衡品质标准。

高职大学生社区服务的双基地实践平台构建——基于沙洲职业工学院社区服务的调查与分析

对大学生社区志愿服务相关概念进行阐述,通过问卷调查的形式,分析了目前高职大学生社区志愿服务的现状,提出了以双基地实践平台为载体的社区志愿服务的运行机制、组织管理结构、激励、培训机制等应对措施。

建设大学生社团,提升就业核心竞争力

大学生的社团活动在当今的大学校园中随处可见,尤其是在新生入学后的几周内,纳新活动成为了大学生社团的一个重要活动,许多新同学也都积极的参与到社团活动中去。大学生社会团不仅仅是大学的一个重要标志,其在大学生的生活中起到了极为重要的作用,它能够从多角度开发学生的潜能,使学生学习和工作的积极性有所提升,促进学生进行客观的自我评价,对于学生实践能力的培养和提高其就业的核心竞争力都有积极的作用。

高层居住建筑的地域性设计原则

高层居住建筑的兴起是城市发展不可忽视的因素,而随着城市建设的高速发展,大量形式化的高层居住建筑矗立于我们的生活之中,其巨大的体量无疑对城市环境、城市风貌造成极大的破坏。本文主要从高层居住建筑的设计方法出发,结合国内外优秀实例,分析现代高层居住建筑的地域性设计原则。

TFT栅极刻蚀负载效应及解决方案

在薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的栅极(Gate)刻蚀制程中,显示区(AA区)和引线区(Fanout区)因布线密度差异而存在刻蚀负载效应,两区域刻蚀程度差异大,刻蚀时间难以确定。抑制栅极刻蚀制程中的刻蚀负载效应,对品质确保具有积极意义。本文分析了湿法刻蚀微观过程,提出增加刻蚀液喷淋流量抑制刻蚀负载效应的方案。将增加喷淋流量的方案转化为调节3个刻蚀腔室(Etch1~Etch3)的刻蚀时间比例。在总刻蚀时间不变的前提下,进行3腔室不同时间比例的刻蚀验证,并对刻蚀结果进行聚类分析。最后,优选出抑制刻蚀负载效应的时间比例,并结合神经网络分析,对结果进行解析。实验结果表明,降低Etch3时间比例,增加Etch2时间比例,刻蚀负载效应可以被抑制。Etch1~Etch3的时间比例由33.33%∶33.33%∶33.33%调整为10%∶80%∶10%,AA区和fanout区刻蚀程度差异由0.575μm下降为0.317μm。通过调节3个刻蚀区间的时间比例,可以抑制刻蚀负载效应,缓解不同区域刻蚀程度差异,满足TFT量产需求。

水乡场景的北方演绎——盘锦市“乐府江南”社区会所设计

该文结合盘锦市"乐府江南"社区会所设计,从空间、形式、细部、色彩、构造以及景观设计等方面,探讨如何将地域性特征以及江南水乡传统建筑元素引入建筑中。寻求一种切合当地人文、自然、社会、环境等诸多因素的设计方法,进而创造富有诗意的人性化空间。

水乡场景的再现——盘锦市大洼县文化活动中心规划及建筑设计

建筑的地域性是建筑的基本特征之一。该文结合盘锦市大洼县文化活动中心设计,提取当地自然特色和物质文化特征,并与设计项目所处具体情况相结合,论述了如何将地域性引入文化活动中心设计中,寻求一种符合当地人文、气候、风俗、社会等诸多因素的设计方法。

基于美好记忆场景的农村未来社区构建研究--以海盐县“三宜”农村未来社区为例

农村未来社区是新时代高质量实施乡村振兴战略背景下,对“千万工程”的持续深化和升级。以海盐县“三宜”农村未来社区建设为研究对象,基于美好记忆场景,以“三个示范”为引领,以“丰山溢水,嘉乡三宜”为定位,提出“三化五场景”的设计建构,构建“资源、产业、人居、服务、治理”五大未来场景,营造乡村宜居、宜业、宜游“三宜共促”的新型农村功能单元和农村未来社区模式,结合现场实地调研,提出具体的建设内容与策略。最后从农村资源唤活、产业振兴、人居环境、公共服务、乡村治理等方面总结五大场景创建成效,为高质量建设农村未来社区试点,率先搭建农村未来生活圈,促进农村综合改革突破,实现农村宜居宜业宜游,推进农村共同富裕提供参考。

栅极坡度角对TFT器件制程的影响

薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的栅极在截面方向上是一个台阶,栅极绝缘层(Gate Insulator,GI)和源漏极(Source和Data电极,SD电极)依次覆盖于台阶之上,覆盖程度以台阶覆盖率(台阶处GI层水平厚度与竖直厚度的比值)进行衡量。本文结合重庆京东方的HADS产品工艺制程,探究了栅极厚度、坡度角对GI层的台阶覆盖率的影响。同时,在覆盖率的基础上研究了台阶处和非台阶处的SD膜层刻蚀程度差异。结合量产中的不良,分析栅极坡度角、覆盖率、栅极腐蚀等相关不良的关系,并提出相应的良率提升措施。实验结果表明坡度角是影响GI覆盖率的关键因素,且栅极坡度角与GI覆盖率呈负线性关系。当栅极厚度在280~500 nm范围变化时,栅极坡度角每增加10°,GI层台阶覆盖率下降约20%。SD膜层覆盖在台阶上,因台阶的存在造成此处的SD层减薄,最终导致该处的SD膜层刻蚀程度加大。如果栅极坡度角偏大,会导致台阶处GI层减薄或者产生微裂纹,工艺制程中的腐蚀介质会透过减薄的GI层进而腐蚀栅极;此外,偏大的栅极坡度角会导致台阶处的SD电极有断线的风险。通过刻蚀液种类变更、刻蚀液成分微调、刻蚀工艺的优化可以降低栅极坡度角,规避上述良率风险。此外,对于栅极腐蚀型不良,也可以通过调整GI层的成膜参数来提升覆盖率。对于SD电极断线风险,可尝试增加光刻胶粘附力、台阶处SD线加宽等措施规避风险。

真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响

液晶显示器薄膜晶体管(TFT)的栅极需经光刻工艺制得。在光刻工艺中,除曝光与显影环节外,光刻胶显影后的关键尺寸(DICD)和锥角(Taper)还受到真空干燥参数的影响。为此,文章以干燥制程的慢抽时间、保压时间和底压为自变量,DICD和Taper为因变量,采用全因子实验,研究了真空干燥制程对光刻胶DICD和Taper的影响。结果表明:慢抽时间和底压产生的影响较小,保压时间则是关键参数:随着保压时间增加,DICD增加、Taper降低。这是因为随着保压时间增加,光刻胶中的溶剂挥发总量增加,光刻胶更致密,显影速度下降,导致DICD增加;同时,光刻胶顶部溶剂挥发量增加,顶部感光剂浓度增加,导致顶部侧向显影程度增加,最终造成光刻胶Taper下降。此外,建立了DICD和Taper与保压时间的回归方程,可以预测光刻效果,或者由预期的光刻效果反推出所需的保压时间。此工作可为薄膜晶体管光刻产线的参数优化和产品良率提升提供参考。

光刻胶剥离制程中的寄生栅极效应

在薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的公共电极制程中,有部分TFT样品的漏电流(I_(off))异常偏高,该部分样品经历同一个光刻胶剥离设备,导致该设备暂停流片,造成产能损失。明确该剥离设备造成TFT漏电流偏高的原因并予以解决,对产能和品质确保具有积极意义。本文首先收集了异常设备剥离液和正常设备的剥离液并分析成分,发现异常设备的剥离液中Al离子含量高。其次,发现TFT的I_(off)会随着在异常设备流片次数的增加而上升。其原因是Al离子在剥离制程生成Al_(2)O_(3)颗粒,该颗粒附着在TFT器件钝化层上形成寄生栅极效应,最终造成I_(off)增加。最后,结合TRIZ输出解决方案,并优选方案进行改善验证。实验结果表明,剥离液中的Al离子浓度由1×10^(-8)上升到2.189×10^(-6)时,I_(off)由3.56 pA上升到7.56 pA。当剥离液中含有Al离子,经历的剥离次数增加时,I_(off)呈上升趋势。钝化层成膜前的等离子体处理功率增强、钝化层膜厚增加可以抑制I_(off)增加。由此,可以确定剥离设备造成I_(off)偏高的原因是剥离液中的Al离子形成的寄生栅极效应,钝化层成膜前处理强化和膜厚增加均可以抑制该效应。

上海老城厢城市空间的现代化演变(1912—1947)

该文通过分析历史地图与历史照片来探究上海老城厢地区在三次重要市政工程前后的城市空间变化,同时借助官方记录的县志与上海档案馆馆藏的当年信件,分析其背后的推动原因。通过对这些历史资料的研读与分析,发现上海老城厢地区自1912年以来,积极向租界学习城市管理制度,通过拆除城墙、填浜筑路与规划路网来推进城市空间现代化的演变。

量产条件下ITO刻蚀液浓度变化及其影响

ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程至关重要。本文结合重庆京东方ITO刻蚀产线,探究不同生产模式下刻蚀液各组分浓度的变化,结合回归分析、因果链和统计方法分析了各成分浓度变化的原因,并确认刻蚀液浓度变化对刻蚀程度的影响。实验结果表明仅CCSS开启,刻蚀液中酸液浓度增加,致其刻蚀能力逐渐增强。在CCSS开启的基础上,EMS开启补充水和硝酸功能,可以保持刻蚀液浓度稳定,进而延长刻蚀液的使用时间。但是,在CCSS和EMS补给均开启的模式下,刻蚀液浓度在初期波动,然后逐步趋于稳定,且在浓度波动期间会有一个硝酸浓度偏高的区域,此区域的刻蚀能力强。该研究为ITO刻蚀液使用时间延长、产品良率提升提供了参考。

a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下,研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响.通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si剩余厚度,找出电学特性稳定区域以及突变的临界点.实验结果表明:在黑暗(Dark)环境下a-Si剩余厚度在30%~48%之间时,TFT器件的电学特性比较稳定,波动较小;而剩余厚度少于30%时,TFT特性变差,工作电流变小,开启电压变大,电子迁移率变小;在光照环境下主要考虑漏电流的影响,在a-Si剩余厚度43%以内时,光照Ioff相对较低(小于Spec20pA),同时变化趋势较缓;而剩余厚度大于43%时,光照Ioff增加25%,同时变化趋势陡峭.综合黑暗和光照测试环境,在其他条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在30%~43%之间时TFT的电学特性较好,同时相对稳定.

IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀

IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15%以内;当压力在4Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加。据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100%改善。

液晶盒厚的均一性研究

根据液晶量的计算模型进行了理论模拟,基于模拟结果对各因子进行实验设计,并在实际生产中对提升盒厚均一性的方案进行了验证。实验结果表明,影响液晶盒厚均一性的关键因子是隔垫层、像素间段差和阵列基板侧段差,对盒厚工程能力指数的影响分别为0.9、0.8和0.6。在阵列基板侧使用有机膜可以将盒厚的工程能力指数提升0.6,采用交叉隔垫层可以将盒厚的工程能力指数提升0.9。降低彩膜侧段差最有效的方法是导入平坦层进行平坦化,高平坦性材料和普通材料的平坦层可分别将盒厚的工程能力指数提升0.5和0.2。

智能识别技术在羽毛羽绒种类鉴别的应用研究

针对现有人工辨别种类的方法存在的弊端,分析研究人工智能识别技术在羽毛羽绒种类鉴别中的应用价值,建立了人工智能识别模型,并对模型进行了训练、迭代优化,最终形成了可用于羽毛羽绒种类鉴别的识别模型。通过模型训练、模型测试和模型与人工识别时间的探究表明,模型识别的准确率大于98%,经对模型进行实际测试,其结果与人工识别法测定结果基本一致,且模型识别的时间较人工识别缩短68.8%了。