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硅材料与未来军事战争 被引量:1
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作者 黄义贞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期56-58,共3页
电子战是未来战争的主要作战手段.未来战争中,先进的技术将是赢得胜利的决定因素之一.不言而喻,电子对抗设备、通讯设备、导航装置等,哪一样都离不开电子材料.新型电子材料的出现。
关键词 半导体材料 战争 军事
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一次数学教研活动的启示 被引量:1
2
作者 黄义贞 《小学教学研究》 2009年第2期38-39,共2页
上教研课.虽然听课对象是教研组内非常熟悉的老师.但向来都是老师们害怕的事.原因是大家都担心自己的课万一没上好会给别人留下不好的印象。我校数学组开展主题式教研活动.以课堂为素材.围绕主题展开交流.淡化对课好坏的评价.收... 上教研课.虽然听课对象是教研组内非常熟悉的老师.但向来都是老师们害怕的事.原因是大家都担心自己的课万一没上好会给别人留下不好的印象。我校数学组开展主题式教研活动.以课堂为素材.围绕主题展开交流.淡化对课好坏的评价.收获了实实在在的成效.体现了真正意义上的校本研修。下面是一次以“‘线’与‘块’的对立统一”为主题的教研活动实录。 展开更多
关键词 教研活动 数学 校本研修 活动实录 对立统一 教研组 教研课 主题式
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微电子学和有关分立器件与材料的发展研究
3
作者 黄义贞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第6期41-46,共6页
本文对功能半导体材料硅、砷化镓、磷化铟材料、硅基和Ⅲ-Ⅴ族基的超晶格量子阱及其新型功能材料(超导、金刚石、多孔硅等)进行介绍分析,提出发展建议和措施.
关键词 微电子学 半导体材料 分立器件
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运用课件辅助一年级应用题教学的一些做法和体会
4
作者 黄义贞 《现代教育技术》 2000年第5期13-14,共2页
关键词 小学一年级 数学应用题 教学 CAI课件
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减少“对折”,增加“精彩”——“认识几分之一”教学感悟
5
作者 黄义贞 《小学教学参考(数学版)》 2009年第1期29-29,共1页
一次教研活动,我上了一节研究课,教学内容是新思维小学数学三年级下册“认识几分之一”。第一次教学时出现了学生总习惯于把“平均分”说成“对折”,从而引起对分数意义的理解存在片面性,造成不必要的麻烦。通过与教研组教师的交流... 一次教研活动,我上了一节研究课,教学内容是新思维小学数学三年级下册“认识几分之一”。第一次教学时出现了学生总习惯于把“平均分”说成“对折”,从而引起对分数意义的理解存在片面性,造成不必要的麻烦。通过与教研组教师的交流和自我反思,在第二次教学时做了以下调整:1.在材料的选择上,尽量减少“对折”因素。2.在提问设计上,尽量结合生活实际。 展开更多
关键词 教学感悟 三年级下册 教研活动 小学数学 教学内容 分数意义 自我反思 提问设计
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LiGaO2单晶生长
6
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1998年第12期11-12,共2页
关键词 单晶 生长 Ⅲ-Ⅴ族 化合物 LGO
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可获得2×10^6cm^2/V.S电子纤移率
7
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1996年第8期8-9,共2页
关键词 三丁基砷 电子迁移率 外处生长 化合物半导体
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用激光和微波等离子体增强CVD生长GaN薄膜
8
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第10期2-3,共2页
关键词 激光 微波等离子体 CVD法 GaN 半导体薄膜
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新方法生长半绝缘InP基外延层
9
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第6期10-11,共2页
关键词 半导体 半绝缘材料 INP 外延层 MOCVD法
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GaAs中的硅杂质
10
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第3期1-2,共2页
关键词 砷化镓 掺杂 杂质 半导体材料
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水热法在Si上生长高取向TiO2薄膜
11
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第9期4-5,共2页
关键词 水热法 SI TIO2 半导体薄膜 薄膜生长
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磁控溅射生长多层(GaAs)1—x(Ge2)x/GaAs
12
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1998年第6期14-15,共2页
关键词 砷化镓 磁控溅射 生长
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GaN基紫外发光材料
13
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1998年第10期17-18,共2页
关键词 化合物半导体 氮化镓 紫外发光材料 Ⅲ-Ⅴ族
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用新源生长InAsSb薄膜
14
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1996年第6期12-12,共1页
关键词 INASSB 半导体薄膜 化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族
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FZ法生长CdS单晶
15
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1996年第3期7-8,共2页
关键词 FZ法 CdS单晶 化合物半导体 单晶生长
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单晶GaN薄膜的MOVPE生长
16
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1996年第3期10-11,共2页
关键词 GAN 半导体薄膜 MOVPE生长 单晶生长
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竖直梯度冷凝方法生长CdZnTe单晶
17
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第7期3-4,共2页
关键词 竖直梯度冷凝法 CDZNTE 单晶生长 远红外探测器
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兰色发光SrGa2S4:Ce薄膜
18
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第11期3-4,共2页
关键词 掺杂 Ge SrGa2S4 半导体薄膜
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热壁外延生长Pb1—xCaxS1—ySey薄膜
19
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第5期16-16,共1页
关键词 化合物 外延生长 半导体薄膜 薄膜
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LPE法生长YBa2Cu3OY/NdGaO3
20
作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第8期3-3,共1页
关键词 LPE法 YBA2CU3OY NdGaO3 超导体
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