一种IBIS模型建模方法

在芯片设计时,我们经常通过HSIPCE仿真来完成验证开发工作。HSIPCE模型是晶体管级模型,在系统级信号完整性仿真应用中有很大的局限性:仿真耗时长,易泄露产品秘密,不利于知识产权保护。当前,在系统级信号完整性仿真中,IBIS模型被广泛使用,能被主流的软件接受并应用于仿真工作。因此,我们需进行器件的IBIS模型建模,并将IBIS模型提供给用户。本文主要介绍IBIS模型及模型的创建方法与模型的验证。

一种基于系统级的SRAM电源评估方法

随着微电子技术的不断发展,存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。静态随机读写存储器(SRAM)作为存储器大家庭中的一员,近年来得到了长足的发展。它作为半导体存储器不可缺少的一类产品,在计算机、通信等高速数据交换系统中得到了广泛的应用。但是随着存储器的容量不断变大,IO翻转速度变快,对电源系统提出了更高的要求。本文从SRAM应用系统出发,详细介绍了SRAM芯片内电源系统面临的问题,并提出了一种基于系统级的SRAM电源评估仿真方法。

一种高速响应的Regulator结构

设计一种高速响应的Regulator电路结构,以期减小Regulator带载瞬变时输出电压的过冲现象。采用输出电压负反馈回路,对主运放的输出负载加以控制,从而在负载突变瞬间对功率管gate实现快速充放电。仅需较小的输出电容量(约几十个n F时),就可在输出电流0~500m A在1 ns突变时获得不超过100 m V的过冲电压和不超过60 ns的过冲宽度。设计的优越性在对比仿真中得以验证,适合应用于输出电流快速瞬变的条件下。