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题名耐反应离子刻蚀的紫外激光光致抗蚀剂的研究
被引量:1
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作者
金桂林
金晓英
施善定
蔡根寿
黄均文
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机构
华东理工大学物理系
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出处
《激光杂志》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期65-69,共5页
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文摘
以芳香族双迭氮基化合物为交联剂,苯氧基二苯甲酮为光敏剂,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基质树脂,合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应,所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反应离子刻蚀(RIE)。用付里叶变换红外光谱法与紫外光谱法研究了激光光致交联反应以及反应离子刻蚀的动力学过程。讨论了影响反应速率以及刻蚀选择比的诸因素。
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关键词
反应离子刻蚀
光致抗蚀剂
微电子学
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Keywords
RIE,laser,photoresist
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分类号
TN405.983
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名远道取穴治疗面肌痉挛
被引量:3
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作者
黄均文
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机构
慈溪市人民医院
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出处
《针灸临床杂志》
1998年第6期36-37,共2页
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文摘
远道取穴治疗面肌痉挛(315300)慈溪市人民医院黄均文面肌痉挛是半侧面部阵发性、不规则、不自主的肌肉抽搐。在临床上是比较常见的,而又较难治愈的一种疾病。中医属于“筋惕肉目闰”。西医则认为是面神经兴奋性增高所致。近10年来,本人采用远道取穴法对45例...
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关键词
面肌痉挛
穴位疗法
远道取穴
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分类号
R277.751.2
[医药卫生—中医学]
R224.2
[医药卫生—中医基础理论]
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题名无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术研究
- 3
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作者
王怡靖
刘恩峰
黄均文
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机构
上海交通大学微电子学院
泛林半导体设备技术(上海)有限公司
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出处
《电子与封装》
2006年第12期37-41,48,共6页
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文摘
随着超大规模集成技术的发展,芯片尺寸的日益缩小,铜作为连接材料的优越性日益显现。由于铜的反应生成物不具有挥发性,刻蚀很难实现。只有先在硅片上作好双大马士革结构,然后填入铜来实现铜互连。文章研究无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术,将刻蚀过程细分为四步实施:VIA通孔刻蚀、BARC刻蚀、Trench沟槽刻蚀和阻挡层刻蚀(Nitride Remove),解决刻蚀过程中出现的主要问题。
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关键词
双大马士革
无中间层
FSG
刻蚀
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Keywords
dual damascene
non-stop layer
FSG
etch
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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