氮化铝陶瓷直接覆铜技术

研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ

功率电路基片首推氮化铝陶瓷

随着民用、军用电子设备或系统的功能越来越全,自动化程度也日益提高,因此必须有功能完整、高可靠性、体积小、重量轻、高效率、高功率密度、开关速度快、抗干扰能力强的相应的电子线路系统满足其需要。功率电子器件的设计最主要包括电参数设计、结构设计和热耗散设计三部分。在半导体芯片数愈来愈多,布线和封装密度愈来愈高的功率电路中。

消除AlN陶瓷基片色斑

ＡｌＮ基片的色斑会影响外观，引起用户对基片性能的疑虑。通过ＸＰＳ、热力学分析等方法，证实了碳的金属化合物是造成氮化铝陶瓷色斑的根源；采取控制氮化铝粉质量、改进排胶和烧结工艺、疏通气路等措施，可消除色斑。

氮化铝陶瓷材料

本文介绍了AIN陶瓷基片生产的关键技术，国内外AIN陶瓷封装概况。探讨了AIN陶瓷封装发展的趋势。

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT^400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。

氮化铝陶瓷的制造及应用

一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加,片子的散热便成为关键问题之一。通过基片散热是一种有效途径。AlN陶瓷由于具有热导率高、热膨胀系数与硅接近、电性能优良、机械性能好、无毒等特性,被认为是最理想的基片材料,因此备受关注。

AIN陶瓷基片应用的局限性

AlN陶瓷作为电子部件一种新型的导热基片,受到世界各国的重视。日、美等国在氮化铝应用市场上一直占主导和领先地位。AlN基片的热导率比Al_2O_3高约10倍,其热胀系数与硅相近,电气绝缘能力强。

氮化铝粉中氮和铝的测定

前言 氮化铝是一种性能优良的新型陶瓷材料,在国外已得到广泛应用,国内也正在开展氮化铝粉料的制备及其应用方面的研究。为配合我所氮化铝粉的合成,我们为分析制定了试验方案,获得了比较可靠数据,为氮化铝粉制备工艺的研究工作提供准确的数据,并指出了有待努力的方向。

功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制

阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷基板。