等离子清洗对芯片钝化膜及电性能的影响

研究了等离子清洗工艺对特定芯片钝化膜形貌和电性能的影响规律,结果表明:等离子清洗会造成CC4069RH芯片表面聚酰亚胺钝化膜圈状起皱现象,起皱部位的膜层略微凸起,但整个钝化膜完整连续,未出现裂纹。78L12芯片的输出电压随着等离子清洗功率和时间的增加呈现升高的趋势,在后续加热存储和功率老炼工艺后输出电压恢复正常。

钇含量在挤压Mg−Y板材拉伸/压缩变形下孪生行为中的作用

研究Y含量对挤压Mg−xY(x=0.5,1,1.5,质量分数,%)板材在沿挤压方向单轴拉伸和压缩下的晶粒尺度孪生行为的影响。基于电子背散射衍射(EBSD),获得大量数据(包括2691个晶粒和977个孪晶),并对其运用自动孪晶变体分析方法。结果表明,无论拉伸还是压缩,都是{1012}拉伸孪晶(TTW)主导变形,并出现大量反常孪生行为(施密特因子(m)<0)。反常孪生行为在拉伸下随着Y含量增加更加明显,表明更高含量的Mg−Y合金中孪生变体选择更加随机。然而,在压缩下依赖于Y含量的反常孪生行为是相反的。研究还发现,反常拉伸孪晶的比例在拉伸和压缩下分别与相应母晶粒中基面和柱面滑移的最大施密特因子(m_(max))密切相关,表明当前Mg−Y合金中孪生和滑移或许有着密切联系。

挤压参数和Y含量对Mg-Y合金棒材显微组织及拉-压变形行为的影响

通过光学显微镜(OM)、电子背散射(EBSD)及单轴拉-压研究了Y元素含量(1%,5%,质量分数)、挤压温度(ET)、挤压比(ER)对Mg-Y合金挤压棒材显微组织、织构及拉-压变形行为的影响规律。结果表明:当Y含量由1%增加到5%(ET=300℃,ER=9):由"双峰"组织变为细小均匀的完全动态再结晶组织;两种棒材横截面(ED面)和纵剖面(TD面)的平均晶粒尺寸相近,约为(14.1±1.9)～(16.5±1.6)μm;室温拉伸屈服强度(TYS)由173±3 MPa降低到125±6MPa,但断裂延伸率则由(11.0±2.1)%大幅增加到了(31.0±1.2)%,这主要是由于基面丝织构的显著弱化和织构强度的明显降低(～53%)导致;CYS/TYS由0.87变为1.10,材料由通常的正拉压不对称性变为反拉压不对称性。当ER由9增加到32(ET=300℃):Mg-1Y的TYS大幅增加到(242±1) MPa(～40%),同时断裂延伸率增加到(12.9±1.5)%(～17%),这主要与大挤压比使得动态再结晶趋于完全、晶粒更加细小均匀(10.1±1.4μm)以及基面丝织构的显著弱化(～75%)密切相关。增加挤压温度(300～400℃)对Mg-1Y棒材(ER=32)的晶粒尺寸和拉伸力学性能的影响较小,但可提高压缩屈服强度(CYS)至(236±9) MPa(～15%),CYS/TYS由0.85增加到1.02,材料拉压屈服对称。Y含量显著影响材料的变形行为,不同挤压参数的Mg-1Y合金棒材均表现出"S"型压缩曲线,而Mg-5Y则无此现象,变形后组织观察表明"S"型曲线与孪晶主导变形密切相关。

微量Y(0.2%)对铸造Mg-Sn合金热变形行为影响

采用MTS-CMT5105电子万能试验机,在温度为250~400℃、初始应变速率为10^-4~10^-1 s^-1,最大变形量为40%的条件下,对铸态Mg-2.5Sn(质量分数,%)和Mg-2.5Sn-0.2Y(质量分数,%)合金进行压缩变形。结合真应力-应变曲线、峰值应力、显微组织、本构方程、DMM加工图,研究了微量Y(0.2%)对铸造Mg-Sn合金热变形行为的影响。结果表明:微量Y的添加,在较低应变速率时,会使Mg-Sn合金热压缩峰值应力增加30%以上;但在较高应变速率时,却对其影响不大。会改变合金塑性变形机制的控制方式,即由扩散控制变为位错的滑移和攀移,会抑制动态再结晶,会降低功率耗散系数,扩大加工失稳区。