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结构与构造辨异
1
作者
刘志宏
黄战龙
等
《陕西师范大学继续教育学报》
2000年第3期104-105,共2页
在学习有机化学过程中,结构与结构是最常遇到、最重要但又最易混淆的两个基本概念,本文阐述了二者的差异性。
关键词
有机化学
结构
构造
概念辨析
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职称材料
氯酸根离子敏感化学传感器的研究
2
作者
黄战龙
《陕西中医学院学报》
2003年第5期62-63,共2页
用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管 (ISFET)制成氯酸根离子敏感器件。该器件的斜率为5 4mv/decade ,线性响应范围为 1 .0× 1 0 - 1 ~ 7.0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,检测下限为 5 .0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,回收收率 97.2 %~ 1 0 ...
用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管 (ISFET)制成氯酸根离子敏感器件。该器件的斜率为5 4mv/decade ,线性响应范围为 1 .0× 1 0 - 1 ~ 7.0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,检测下限为 5 .0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,回收收率 97.2 %~ 1 0 9‰。
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关键词
氯酸根
化学传感器
乙基紫
离子敏感场效应晶体管
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职称材料
一次性丁氯喘半导体传感器的研究
被引量:
1
3
作者
黄西潮
李先文
+1 位作者
黄强
黄战龙
《化学传感器》
CAS
1997年第4期270-272,共3页
本文利用场效应晶体管与药物敏感膜相结合.研制成一种PVC膜丁氯喘半导体传感器。该传感器具有良好的能斯特响应。传感器对丁氯喘的线性范围为5×10^(-5)-1×10^(-1)mol/L,检测下限7×10^(-5)mol/L;响应斜率为60mV/dec;适宜...
本文利用场效应晶体管与药物敏感膜相结合.研制成一种PVC膜丁氯喘半导体传感器。该传感器具有良好的能斯特响应。传感器对丁氯喘的线性范围为5×10^(-5)-1×10^(-1)mol/L,检测下限7×10^(-5)mol/L;响应斜率为60mV/dec;适宜的pH范围为2—9。
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关键词
丁氯喘
半导体传感器
聚氯乙烯膜
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职称材料
硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ
4
作者
李先文
黄战龙
黄强
《渭南师专学报(自然科学版)》
1998年第2期31-33,共3页
用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管,并用其分析盐酸麻黄碱.传感器对麻黄碱的线性响应范围为1.0×10-1~5.0×10-6mol/L,斜率59.5mV/PC,检测下限为2.0×10-6mol/L,适宜PH范...
用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管,并用其分析盐酸麻黄碱.传感器对麻黄碱的线性响应范围为1.0×10-1~5.0×10-6mol/L,斜率59.5mV/PC,检测下限为2.0×10-6mol/L,适宜PH范围4.0~8.0.用其分析盐酸麻黄碱片剂含量。
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关键词
盐酸麻黄碱
药典
片剂
修饰
含量
分析
适宜
硅钨酸
杂多酸
离子
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职称材料
题名
结构与构造辨异
1
作者
刘志宏
黄战龙
等
机构
陕西师范大学化学系
陕西省渭南中医学校
出处
《陕西师范大学继续教育学报》
2000年第3期104-105,共2页
文摘
在学习有机化学过程中,结构与结构是最常遇到、最重要但又最易混淆的两个基本概念,本文阐述了二者的差异性。
关键词
有机化学
结构
构造
概念辨析
分类号
O62-4 [理学—有机化学]
O621.1
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职称材料
题名
氯酸根离子敏感化学传感器的研究
2
作者
黄战龙
机构
陕西省中医学校
出处
《陕西中医学院学报》
2003年第5期62-63,共2页
文摘
用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管 (ISFET)制成氯酸根离子敏感器件。该器件的斜率为5 4mv/decade ,线性响应范围为 1 .0× 1 0 - 1 ~ 7.0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,检测下限为 5 .0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,回收收率 97.2 %~ 1 0 9‰。
关键词
氯酸根
化学传感器
乙基紫
离子敏感场效应晶体管
分类号
R313 [医药卫生—基础医学]
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职称材料
题名
一次性丁氯喘半导体传感器的研究
被引量:
1
3
作者
黄西潮
李先文
黄强
黄战龙
机构
渭南师专化学传感器研究室
渭南中医学校
出处
《化学传感器》
CAS
1997年第4期270-272,共3页
基金
陕西省教委专项科学基金
文摘
本文利用场效应晶体管与药物敏感膜相结合.研制成一种PVC膜丁氯喘半导体传感器。该传感器具有良好的能斯特响应。传感器对丁氯喘的线性范围为5×10^(-5)-1×10^(-1)mol/L,检测下限7×10^(-5)mol/L;响应斜率为60mV/dec;适宜的pH范围为2—9。
关键词
丁氯喘
半导体传感器
聚氯乙烯膜
分类号
R974.3 [医药卫生—药品]
TQ460.5 [化学工程—制药化工]
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职称材料
题名
硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ
4
作者
李先文
黄战龙
黄强
机构
渭南师专化学系
渭南市中医学校
出处
《渭南师专学报(自然科学版)》
1998年第2期31-33,共3页
基金
陕西省教委专项科研基金
文摘
用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管,并用其分析盐酸麻黄碱.传感器对麻黄碱的线性响应范围为1.0×10-1~5.0×10-6mol/L,斜率59.5mV/PC,检测下限为2.0×10-6mol/L,适宜PH范围4.0~8.0.用其分析盐酸麻黄碱片剂含量。
关键词
盐酸麻黄碱
药典
片剂
修饰
含量
分析
适宜
硅钨酸
杂多酸
离子
分类号
G633 [文化科学—教育学]
R927.2 [医药卫生—药学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
结构与构造辨异
刘志宏
黄战龙
等
《陕西师范大学继续教育学报》
2000
0
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职称材料
2
氯酸根离子敏感化学传感器的研究
黄战龙
《陕西中医学院学报》
2003
0
下载PDF
职称材料
3
一次性丁氯喘半导体传感器的研究
黄西潮
李先文
黄强
黄战龙
《化学传感器》
CAS
1997
1
下载PDF
职称材料
4
硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ
李先文
黄战龙
黄强
《渭南师专学报(自然科学版)》
1998
0
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职称材料
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