利用单辊快淬法制备了Co Fe Ni Si B非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能。以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高...利用单辊快淬法制备了Co Fe Ni Si B非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能。以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05 m T弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/m T,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力。展开更多
文摘利用单辊快淬法制备了Co Fe Ni Si B非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能。以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05 m T弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/m T,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力。