Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究

用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。

新型固体超强碱的制备及性质测定——介绍一个综合化学新实验

本文介绍了一个综合化学新实验。利用自制的载体并通过表面改性制备了固体超强碱催化剂 ,碱强度达到了H- =2 6.5 ,该催化剂在异丙醇分解反应中对丙酮的生成具有很高的选择性。整个实验约需要 3～ 5天 ,每天 4～

用快原子轰击质谱法研究Si_3N_4-GaAs薄膜的深度分布

利用快原子轰击质谱分析技术(FAB-MS)研究了Si_3N_4-GaAs薄膜的剖面分布.根据获得的硅离子电流纵向分布曲线,可以计算出Si_3N_4薄膜的厚度及观察过渡区的分布情况.还利用在不同质量处获得的离子电流曲线及相应于峰值的质谱图,研究了薄膜表面及界面的杂质沾污情况.FAB-MS有助于改进出Si_3N_4薄膜的生长工艺,特别是为原材料选择、清洗条件、腐蚀条件、沾污控制等提供了依据,从而生长出纯度和厚度符合要求的Si_3N_4薄膜.

基于“四层四翼”试题情境化的研究和教学建议--以2023年四省联考化学试题为例

本文从“四层”和“四翼”两个角度对2023年四省联考适应性测试化学试题的情境化特点进行分析,总结情境试题具有信息量大、强调实验探究、凸显德育色彩等特点,同时结合试题情境化特点,提出以下有针对性的教学建议:强化情境设计,增强学科观念;构建情境体系,培养关键能力;融入思政教育,深化育人理念。

乙硼烷气体含量的测定

一、前言 已硼烷（B2H6）是一种带有类似硫化氢臭味的易燃易爆剧毒气体，在空气中的最高允许浓度为0.1ppm（按美国ACGIH1963年标准，我国尚未制定）。在半导体技术中，乙硼烷用作外延工艺的气相掺杂源、扩散工艺的扩散源和离子注入源，它通常用氢、氮、氩等气体稀释后使用。市售的乙硼烷钢瓶含量一般从百分之几到百分之零点几。直接用于半导体工艺的乙硼烷气体，根据使用要求的不同，含量从几ppm至几百ppm。在贮存过程中，由于乙硼烷化学性质比较活泼，易于水解、氧化及分解，含量会逐渐降低。为了准确地控制工艺条件，对稀释气体中乙硼烷的含量进行准确测定是十分必要的。

用露点法测量电绝缘气中水汽含量的标准检验方法

1．1 本方法用于测量电绝缘用气体的露点，并由露点计算出气体中水蒸汽的含量，所测露点可低至-73℃(-99．4°F)。

MBE生长的高性能MDAlGaAs/GaAs结构材料

本文报道了用国产MBE装置和源材料生长调制掺杂(MD)AlGaAs/GaAs结构材料,用霍耳效应、光荧光测量材料的电学和光学性能,用电化学C-V检测分布特性,用电光检测法评估材料的均匀性。用该材料研制栅长0.5μm的HEMT器件,其跨导为200mS/mm,12GHz下的噪声系数达到0.76dB,相关增益6.5dB。