房建施工中铝模板技术的应用探讨

在房建行业中,铝模板以其高效、环保、耐用的特点占据重要地位。其优势包括成本效益高、混凝土成型效果好、运输安装便捷、提高施工效率、尺寸精确、环保性强及施工组织简便等。本文对铝模板技术的应用流程,包括设计、拼装检验、施工准备、安装、混凝土浇筑和拆模等详细阐述,旨在为建筑施工提供有益参考,推动铝模板技术的广泛应用,实现建筑施工的高效与便利。

同步辐射小角散射法和中子衍射法研究中子辐照Al-B合金结构

为了研究He在材料中的行为,借助10B的(n,α)核反应,通过反应堆热中子对Al-B合金进行辐照,引入He原子密度达6.2×1025 m-3。采用同步辐射X射线小角散射法(Synchrotron small angle X-ray scattering,SAXS)原位测试了不同温度下合金中He的状态变化,并结合透射电镜(Transmission electron microscope,TEM)对试样进行了观察;采用X射线衍射和中子衍射法分析了合金晶格参数的变化。SAXS分析表明,随着温度升高试样内部的颗粒和孔洞消失,He泡数量不断增多、尺寸增大。700 oC下He泡的半径大约增大到10 nm,与室温时颗粒和孔洞相当。衍射分析表明,B原子引入使得Al晶格常数增大,但不存在可见的第二相,中子辐照使得生成的Li和He原子进入Al晶格,进一步加大了晶格常数。辐照后的样品加热使得He从晶格间隙位置扩散到晶界形成He泡,从而缓解了对晶格的挤压,导致了晶格常数的回复减小,第一性原理计算得到的间隙原子B、Li、He引起的晶格肿胀解释了这一结果。

冷中子导管模拟和参数优化计算

根据冷中子源及后续中子导管的布局参数,采用蒙特卡罗方法模拟计算了冷中子导管C3出口处中子束均匀性、准直性及注量率等数据。优化表明:a)冷源与后续导管入口间距离应尽可能短;b)中子注量率及发散度均随导管超镜因子m值增大,m值由1.5增至3.0,其Y方向发散度增大24%,注量率提高61%;c)垂直于导管弯曲面方向的发散可以用高斯分布来描述,而导管偏转方向则呈条纹状发散;d)在m=1.5、冷源与堆内导管入口距离为2.29m情况下,束流垂直发散宽度为0.86°,中子注量率为2.44×107cm–2·s–1。

中子三轴谱仪二维位置灵敏探测器标定

二维位置灵敏探测器(PSD)参数是中子散射谱仪实验数据分析的必要参数,主要用于角度和谱形修正。为此提出了PSD标定方法,并对冷中子非弹性散射/三轴谱仪所使用的PSD探测器进行了标定,获得了工作偏压、像素大小、空间分辨、探测效率及效率均匀性等数据。实验结果表明,探测器的工作偏压为4.2-4.4 kV、像素大小为0.32 mm(H&V)、探测器的空间分辨为2.15 mm(H)×2.04 mm(V)、探测效率为90.47%、效率均匀性优于10%,达到了谱仪设计要求。所建立的探测器测试方法对探测器研制和实验数据分析具有参考价值。

中子反射谱仪前端导管优化

基于两种中子反射谱仪设计(A:前端为8.0 m垂直聚焦导管,入口200 mm,出口40 mm;B:前端为1.6+3.4 m水平偏转垂直聚焦导管,入口100 mm,出口50 mm),对其前端偏转/聚焦导管进行了中子束模拟,结果表明:1)在特征波长为0.4 nm的冷中子导管末端,没有必要再次偏转束流以减低本底;2)与建议方案相比,概念设计中的注量下降了52.8%,而水平方向发散度增大了24.1%,垂直方向发散度减小60.7%;3)聚焦导管长度应不低于6.0 m,导管聚焦超镜m值在2.0?2.5最佳,两侧超镜m值对束流几乎无影响,使用中子束高度应不低于150 mm可达到较好的注量率和发散度。

贮氢钛膜氢含量的中子反射分析方法设计

对3μm厚Ti膜的中子反射率谱进行理论计算,得到了Ti膜在不同含氘量(TiDc,c=0.5、1.0、1.5和2.0)、表面是否氧化下的反射率谱.数据表明,用中子反射技术可以获取含氘量和表面氧化程度等信息.同时,根据需测量的膜层最大厚度,对反射谱仪部分参数提出了要求.

中子粉末衍射谱仪束流的椭圆聚焦镜设计

为使中子粉末衍射谱仪满足小样品研究需要,设计了一维椭圆聚焦镜系统并对参数进行了优化,同时对椭圆聚焦镜的相关参数做了较为详细讨论。采用椭圆解析计算和中子追迹程序McStas模拟两种方法,计算了椭圆聚焦镜参数对样品处中子注量率的影响,并以样品处中子注量率最大化为目标给出了优化参数,结果表明,在单色器(椭圆左焦点)到样品(椭圆右焦点)距离为2.7m情况下,采用超镜因子为3、长度为25cm的椭圆聚焦镜,其最佳位置为距离样品560mm处、椭圆长半轴为1 350.016mm,从而可以提高样品处注量率7倍。

多层膜实验的中子反射率计算方法

本文从Parratt迭代关系出发,讨论了粗糙界面多层膜反射率的计算方法和中子反射实验中散射矢量分辨及其在数据分析中的考虑;比较了指数项法和划分薄层法两种不同界面粗糙度处理方法的异同和使用条件,并结合CoFe/TiZr合金多层膜极化中子飞行时间反射实验数据分析,比较了不同分辨率考虑方法对应的拟合情况。结果表明:当界面粗糙度与膜层厚度相当时,划分薄层法计算反射率是较合适的算法;波长、角度分辨分别考虑法优于散射矢量整体考虑法。

常波长和飞行时间模式下中子散射的散射矢量分辨率分析

讨论了中子散射实验中散射矢量分辨率问题,并根据目前谱仪通常的角度分辨和波长分辨参数,给出了常波长模式和飞行时间模式的分辨率曲线,并比较了不同模式的优缺点。分析表明,对于低q范围(<0.4nm-1)散射实验测量,飞行时间模式的分辨率更好;对于高q范围的中子散射测量,常波长模式更适合。

斩盘产生的中子脉冲特性

为更好地设计转盘式中子斩波器,建立了单斩盘和异向旋转双斩盘的结构模型。采用国际上常用的Mcstas模拟计算软件,分别对单斩盘和异向双斩盘产生的中子束流脉冲的形成特性进行了模拟计算,获得了相关物理参数对斩盘产生中子束流脉冲的影响曲线,讨论了单斩盘与双斩盘脉冲形成的束流特性的差别与优缺点。分别对单斩盘和异向旋转双斩盘模型产生的中子束流脉冲可能产生的误差进行了理论分析,讨论了各客观物理因素对误差的影响。结果表明,考虑实际应用条件,在特定物理参数下,异向旋转双斩盘的第二斩盘窗口宽度应在不超过34 mm的范围内综合选择。计算结果可用于中子斩波器的理论设计及其相关物理参数的选择。

双盘斩波器的设计与优化

中子双盘位相斩波器目前广泛地应用于中子散射设备上,其作用是将连续中子束斩成脉冲中子束。本文结合拟建飞行时间模式中子反射谱仪,详细介绍了中子双盘位相斩波器的设计,并从原理上对斩波器主要物理参数进行了优化,采用McStas程序对其中子注量率情况进行了模拟计算,为斩波器设计制造提供参考。

水平散射几何中子反射谱仪的三盘斩波器设计

为提高水平散射几何中子反射谱仪分辨,希望谱仪前端的中子斩波器能斩出脉冲强度大水平发散度较小的中子脉冲束流,采用新设计的三斩盘斩波器模型,运用Mcstas程序软件考察了不同物理参数下三盘斩波器的中子斩波特性。获得了特定物理条件下相关物理参数对束流强度和发散度的影响关系曲线。计算结果可为水平散射几何中子反射谱仪中三盘斩波器的设计及物理参数的选择提供理论依据。

中子反射谱仪的闸门与会聚导管组合设计

为提高水平散射几何中子反射谱仪的前端束流特性,针对前端闸门与会聚中子导管的组合设计进行了优化计算。根据闸门通道截面、会聚导管入、出口截面及相应内表面超镜因子不同分成多组,采用数值方法对多个组合设计进行优化计算。结合水平散射几何中子反射谱仪的客观需求进行比较分析,选取比较理想的组合。计算结果表明:会聚导管的最佳组合是采用水平面会聚,垂直面不会聚,而闸门内表面超镜因子选为2,会聚导管水平面超镜因子为3,垂直面超镜因子为2。通过多组比较分析,获得了水平散射几何中子反射谱仪的前端闸门与会聚导管的相关物理参数的优化组合,为谱仪的概念设计奠定了基础。

降感RDX微观结构的X射线小角散射分析

应用同步辐射X射线小角散射技术研究了降感RDX材料的微观结构，分析TRDX做孔数量、尺寸以及数量分布信息。结果表明降感RDX微孔尺度随样品颗粑变化不明显，数据显示微孔平均半径只有1～2nm的微弱变化。对比不同分析方法得到的微结构信息表明RDX内部除了微孔结构还存在裂缝微结构：

中子三轴谱仪输入谱模拟与优化计算

根据冷中子源及其后续中子导管的布局与参数,采用蒙特卡罗方法模拟计算了中子三轴谱仪的输入谱,获得了中子束均匀性、发散度及注量率等参数。模拟结果表明:冷源与导管人口间距离L不宜小于0.1m,在距离为0.5m时导管出口处注量率达到最大3.96×10~8cm^(-2)s^(-1);中子注量率及发散度均随导管超镜因子m增大而增大,m值由1.5增大到3后,其水平方向的发散度几乎不变,垂直方向最大发散度增大约87.7%,注量率增大25%;垂直方向和水平方向的发散均可以用高斯分布来描述,但水平方向的发散伴有离散峰;在m为1.5,L为2 m情况下,束流水平和垂直方向的最大发散度分别为0.85°和0.81°,中子注量率为2.86×10~8cm^(-2)s^(-1);得到了针对三轴谱仪的导管优化参数。

盘间距可调斩波器设计及模拟

不同实验样品精度需求对中子反射谱仪的分辨要求不同。为实现反射谱仪中的中子斩波器的斩波特性可调,斩波器设计采用四斩盘结构。设计原理主要是变换使用第三和第四斩盘,利用第三盘和第四盘与第二盘间距的不同,结合斩盘转速的调节,实现斩波特性可调。运用Mcstas程序软件模拟计算,获得客观物理条件下相关物理参数对脉冲注量率及脉冲水平发散度的影响曲线。计算结果可为水平散射几何中子反射谱仪中四盘斩波器的理论设计及相关物理参数的选择提供理论参考。

中子应力谱仪常用聚焦单色器的模拟与比较

用蒙特卡罗中子射线追踪程序McStas对中子衍射应力谱仪单色器部件进行模拟优化:以Cu(220)比较了单色器起飞角和准直系统对样品处中子注量率、分辨率的影响;计算得到给定条件下单色器最佳单晶条数和镶嵌度;单晶条倾角精度建议好于0.1°;计算了Cu(222)、(220)和(002)在不同起飞角情况下获得的中子注量率;相同条件下,Cu和Ge常用晶体单色器中以Cu(220)获得的中子注量率最大,而Cu(222)获得的波长分辨率最佳。

中子斩盘负载分析和运动控制器设计

为了实现中子波段调节斩盘相位的高速、高精度控制,分析了系统的负载特性并建立了由斩盘实体和驱动电机构成的二质量系统模型。设计了电流、速度和位置串级控制器,根据控制系统的工程设计方法和现代控制理论给出了3个调节器结构选择及参数整定的具体方法。结果表明：在中子斩盘以旋转频率27.5Hz工作时,其相位控制扰动误差为-1.325 25~1.325 25μs,稳态误差为-2.583μs,符合中子斩波器应用要求。

中子三轴谱仪分辨率的计算与分析

描述了中子三轴谱仪分辨率函数的计算方法,计算分析了中子波矢、准直器水平发散度、谱仪布局及能量和动量转移对分辨率函数的影响。谱仪分辨率随着入射波矢增大而降低,随着准直器水平发散度的减小而提高,谱仪最高能量分辨率能达到23μeV,计算值与实验测量和模拟计算结果符合得很好;谱仪布局只改变分辨率椭球在散射平面的方向,而不会影响谱仪的能量分辨率,有两种布局的动量分辨率较好;分辨率椭球随着能量转移的变化而在散射平面内旋转,同样也会随着动量转移的变化而旋转方向,分辨率的计算对于谱仪物理设计及实验测量具有指导意义。

中子斩盘斩束效果的模拟计算

转盘式中子斩波器广泛地应用于飞行时间模式中子散射谱仪上,斩盘斩出的脉冲束流特性直接影响着谱仪性能。为更好地进行转盘式中子斩波器的设计,采用Mcstas程序软件,分别对单盘和双盘的中子斩波特性进行了模拟计算。获得了相关物理参数对脉冲注量率和发散度的影响关系曲线。通过理论计算可以了解相关物理参数对斩波特性的影响,计算结果可为斩波器的理论设计以及相关物理参数的优化选择提供理论参考。