期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
1
作者
王永维
黄柯月
+4 位作者
王芳
温恒娟
陈浪涛
周锌
赵永瑞
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。
展开更多
关键词
辐射电荷
总电离剂量(TID)辐射效应
绝缘体上硅(SOI)
横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
击穿电压
导通电流
下载PDF
职称材料
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
2
作者
王永维
黄柯月
+2 位作者
温恒娟
陈浪涛
周锌
《通讯世界》
2024年第7期1-3,共3页
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟...
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。
展开更多
关键词
SOI
LDMOS
绝缘体上硅
功率器件
击穿电压
阈值电压
下载PDF
职称材料
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
3
作者
黄柯月
吴中华
+3 位作者
周淼
陈伟中
王钊
周锌
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第4期706-710,共5页
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(F...
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(FOX)。Q_(FOX)增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。Q_(BOX)降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。
展开更多
关键词
总剂量辐射
SOI
pLDMOS
击穿电压
辐射陷阱电荷
下载PDF
职称材料
题名
SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
1
作者
王永维
黄柯月
王芳
温恒娟
陈浪涛
周锌
赵永瑞
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
北京国联万众半导体科技有限公司
电子科技大学集成电路科学与工程学院
山东省产品质量检验研究院
北京振兴计量测试研究所
河北新华北集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期758-766,共9页
文摘
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。
关键词
辐射电荷
总电离剂量(TID)辐射效应
绝缘体上硅(SOI)
横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
击穿电压
导通电流
Keywords
radiation charge
total ionizing dose(TID)radiation effect
silicon on insulator(SOI)
laterally diffused metal oxide semiconductor(LDMOS)
breakdown voltage
conduction current
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
2
作者
王永维
黄柯月
温恒娟
陈浪涛
周锌
机构
中国电子科技集团公司电子第十三研究所
北京国联万众半导体科技有限公司
电子科技大学集成电路科学与工程学院
北京振兴计量测试研究所
出处
《通讯世界》
2024年第7期1-3,共3页
文摘
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。
关键词
SOI
LDMOS
绝缘体上硅
功率器件
击穿电压
阈值电压
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
3
作者
黄柯月
吴中华
周淼
陈伟中
王钊
周锌
机构
重庆邮电大学光电工程学院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第4期706-710,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(62004034)。
文摘
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(FOX)。Q_(FOX)增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。Q_(BOX)降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。
关键词
总剂量辐射
SOI
pLDMOS
击穿电压
辐射陷阱电荷
Keywords
total-ionizing-dose effect
SOI pLDMOS
BV
radiation trap charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
王永维
黄柯月
王芳
温恒娟
陈浪涛
周锌
赵永瑞
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
王永维
黄柯月
温恒娟
陈浪涛
周锌
《通讯世界》
2024
0
下载PDF
职称材料
3
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
黄柯月
吴中华
周淼
陈伟中
王钊
周锌
《微电子学》
CAS
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部