共蒸发法制备金锡共晶焊料环及其性能研究

采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象;经过振荡测试,溢料无脱落、无位移,且芯片密封性能可达到1×10^(-3) Pa/(cm^(3)·s),符合探测器的气密性要求。

氧化钒薄膜沉积设备及其电阻均匀性调试方法

介绍一种氧化钒薄膜沉积设备以及电阻均匀性的调试方法。采用反应磁控溅射法在涨有氮化硅薄膜的硅衬底上制备了氧化钒薄膜,采用四探针电阻测试仪测试氧化钒薄膜的方块电阻。结果表明,通过改变氧气在衬底表面的分布,可以实现对氧化钒表面电阻均匀性的实时调控,即通过增加氧气流量提高对应位置的电阻或减小氧气流量来降低对应位置的电阻,从而获得了电阻均匀性良好的氧化钒薄膜。同时也降低设备开腔调试的频率,节约靶材及时间成本。该设备的改造思路也可推广至用于其他薄膜的制备。