横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望

横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一。分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系。最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望。

电荷共享效应的RESURF横向功率器件击穿电压模型

分析降低表面场(reduced surface field,RESURF)横向功率器件耐压机理,假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区,建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型.该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性,并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点.在此基础上,导出了一个新的RESURF判据,进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限.解析结果与实验结果吻合较好,验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性.

压电薄膜传感器制备工艺的研究

集成电路技术发展引领着微电子学电路集成进入了系统集成的时代。集成化芯片系统不仅要强大的运算分析能力、信号处理能力,还要有可以感知外界信号的微传感器,并将运算结果作用于外界环境中的微执行器。本文从微传感器的发展现状着手,分析了压电薄膜传感器的工作原理,并进一步介绍了PVDF压电薄膜传感器的制备工艺。

某立交桥预应力混凝土连续箱梁施工技术

叙述了成都市三环路跨成灌路立交桥预应力钢筋混凝土连续箱梁的施工工艺 ,针对施工过程中遇到的问题 ,采用相应的技术处理措施作了介绍 。

成都市三环路跨成灌路立交桥预应力混凝土连续箱梁施工技术

介绍成都市三环路跨成灌路立交桥预应力混凝土连续箱梁的施工工艺 ,针对施工过程中遇到的问题 ,采用相应的技术处理措施。