戏剧类非遗数字档案建设及其价值挖掘研究

本文以戏剧类非物质文化遗产为研究对象,探讨其数字档案建设及其价值挖掘的重要性。首先,介绍了戏剧类非遗的背景和现状,分析了数字化保护的必要性和紧迫性。其次,阐述了数字档案建设的原则和方法,包括资源的采集、整理、数字化转换等环节。然后,分析了数字档案在戏剧类非遗保护中的价值,体现在保存、传播、研究和教育等方面。最后,提出了数字档案建设的实施策略和未来发展展望。本文旨在为戏剧类非遗的保护和传承提供一种新的思路和方法,促进非物质文化遗产的数字化保护和可持续发展。

英语写作中英语思维构建的难点与对策

写作处于“听说读写译”五大英语语言能力的倒数第二位,难度不容小觑。想要解决这一难题,首先需要理解英汉思维方式差异背后的深层次渊源,从而摆脱母语思维的束缚、重塑英语思维;只有这样,才能正确区分汉英语言差异,避免出现语法与逻辑思维错误,跳出中式英语的误区,提高写作质量。构建英语思维需要作者平时在积累词汇量、掌握句子结构、灵活运用各种句型、避免标点符号的误用、绕开分词结构与独立主格错误等方面下功夫。

氨甲环酸配合脉冲光及中医中药联合治疗黄褐斑

目的探讨通过口服氨甲环酸及用中医中药内调,配合外用强脉冲光治疗,多种方法联合治疗黄褐斑的临床疗效及不良反应。方法 148例患者口服氨甲环酸及用中医中药内调,配合外用强脉冲光治疗,观察治疗结束的疗效及不良反应。结果分析病例有效率为98.6%,未见明显的不良反应。结论利用强脉冲光、口服氨甲环酸、中医中药治疗后,多数患者获得良好治疗效果,是一种安全、有效的方法。

64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制

报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% 。

256×1甚长波量子阱红外焦平面研究

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器由于其所依据的GaAs基材料较为成熟的材料生长和器件制备工艺,使其特别适合于高均匀性、大面积红外焦平面的应用。报道了甚长波256×1元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件的研制成果,探测器的峰值波长为15μm,响应带宽大于1.5μm。在40 K工作温度下,器件的平均黑体响应率Rp=3.96×106 V/W,平均黑体探测率为Db*=1.37×109 cm.Hz1/2/W,不均匀性为11.3%,并应用研制的器件获得了物体的热像图。

Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的光荧光表征

对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直接与势垒中 Al含量相关 ,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算 ,获得了 Al组分和阱宽值 ,并由此推算出相应的红外探测响应波长 ,与光电流谱的实验结果相比吻合良好 .

高灵敏度穿通型异质结光电晶体管

报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。

量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量

通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.

快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰

应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8～ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga

量子共振隧穿二极管的频率特性与分析

用 HP8 510 C网络分析仪测量了 Al As/In Ga As/Al As共振隧穿二极管的 S参数 ,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数 ,计算出所研制器件的阻性截止频率为 54GHz。

基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响

ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。

GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究

本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响．γ射线的辐射剂量分别为1mrad、6mrad、16mrad．测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率．通过对实验结果的分析，暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减，表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减．

宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制

采用分子束外延方法在 Ga As衬底上生长了 n型掺杂的应变 In Ga As/Al Ga As多量子阱结构 ,制作成 3— 5μm波段的量子阱红外探测器 ,响应峰值波长 λp=4.2 μm,响应带宽可达 Δλ/λ=50 % ,50 0 K黑体探测率 D*BB(50 0 ,1 0 0 0 ,1 )达 1 .7× 1 0 10 cm.Hz1/2 /W.

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器特性非对称性分析

在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称 ,讨论了 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性 ,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较 .发现 。

甚长波量子阱红外探测器光耦合性能

从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光耦合的表面近场效应和光耦合效率,重点考察QWIP45°面边耦合、光栅耦合QWIP结构、光栅尺寸、工艺条件的变化对QWIP相关性能的影响.实验与计算结果证明,合理地设计二维光栅,进行甚长波QWIP光耦合,可以获得有效的光耦合效果.

量子干涉效应在红外探测器能带结构设计中的应用

利用量子干涉效应,提出设计GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器能带结构的方法。此法比K-P方法简便易行,而且随着势垒宽度的增加,两种方法所得结果趋于一致。这表明新方法更适合计算具有较宽势垒超晶格的电子态。另外,用新方法对超晶格样品的光电流谱进行了分析,所得结果比K-P方法更接近实验值。由此证实了量子干涉效应引起的电子能态的存在和新方法在量子阱红外探测器能带结构设计中的实用性。

Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．

衬底剥离的量子阱红外探测器研究(英文)

对用MBE生长的GaAs/A lGaAs量子阱材料进行了衬底剥离,在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应.实验解决了衬底剥离及器件制备中的工艺问题,研究了衬底剥离对材料及器件性能的影响以及用这种方法制备器件的可行性.结果表明选择腐蚀法是一种有效的衬底剥离方法,用这种方法得到的多量子阱薄膜材料仍具有较好的红外探测性能,为进一步实验提供了依据.

分子束外延调制掺杂结构的低温光致荧光

木文报道了分子束外延调制掺杂GaAs/N-AIGaAs二维电子气材料的低温光致荧光结果。实验表明,光致荧光谱分析可以作为二维电子气材料的质量诊断技术,由光致荧光谱得到的质量评价与材料的电学性能恰相对应,这就为改进分子束外延工艺提供了依据。

GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光

在温度T =77K ,测量了GaAs/Al0 3Ga0 7As超晶格的光致发光 ,发现在波数 v =1 3 1 56cm- 1和 v =1 2 2 89cm- 1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰 .理论分析表明 ,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光 ;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关 .由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度 .理论计算值与实验结果符合得很好 .