听水

我想去长江听水,听“滚滚长江东逝水”的豪迈,听“烟花三月下扬州”的秀丽,听“半江瑟瑟半江红”的壮美,听“八月长江万里晴”的开阔,听“轻舟已过万重山”的洒脱。我想去长江听水,听那如水般波澜壮阔的文字和那“大江东去,浪淘尽,千古风流人物”的英雄故事。惊涛拍岸,浪花的激鸣将时光的指针拨回古代。东汉末年,孙权、刘备联军在长江赤壁一带大破曹操大军。这是中国历史上著名的以少胜多、以弱胜强的战役。奔流的江水干百年来歌咏着“草船借箭”“火烧赤壁”的战神传说。

一种面向可容错应用的低功耗SRAM架构

提出了一种面向可容错应用的低功耗SRAM架构。通过对输入数据进行预编码,提出的SRAM架构实现了以较小的精度损失降低SRAM电路功耗。设计了一种单端的8管SRAM单元。该8管单元采用读缓冲结构,提升了读稳定性。采用打破反馈环技术,提升了写能力。以该8管单元作为存储单元的近似SRAM电路能够在超低压下稳定工作。在40 nm CMOS工艺下对电路进行仿真。结果表明,该8管单元具有良好的稳定性和极低的功耗。因此,以该8管单元作为存储单元的近似SRAM电路具有非常低的功耗。在0.5 V电源电压和相同工作频率下,该近似SRAM电路的功耗比采用传统6管单元的SRAM电路功耗降低了59.86%。

一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元

提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗。采用内在读辅助技术消除了读干扰问题,有效提高了低压下的读稳定性。采用削弱单元反馈环路的写辅助技术,极大提高了写能力。该10管SRAM单元可消除半选干扰问题,提高位交错结构的抗软错误能力。在40 nm CMOS工艺下对电路进行了仿真。结果表明,该10管SRAM单元在低压下具有较高的读稳定性和优异的写能力。在0.4 V工作电压下,该10管SRAM单元的写裕度为传统6管单元的14.55倍。