微屏蔽三线对称结构带通滤波器设计

对薄膜支撑空腔型微屏蔽传输线进行分析,提出微屏蔽传输线的物理结构。为了验证微屏蔽传输线在毫米波应用的优势,利用类比平行耦合微带线滤波器的方法设计了一种4阶切比雪夫三线对称结构微屏蔽线滤波器。通过对该微屏蔽腔体结构进行HFSS仿真,得到中心频率35 GHz的宽带滤波器,带宽15 GHz,带内插损小于0.5 d B,带外抑制>40 d B@53 GHz,器件尺寸8.24 mm×1.5 mm×0.65 mm。该设计为基于平面传输线的滤波器在毫米波频段的实现提供了一种可行的方法。

高隔离度阶跃结构MEMS开关的设计

针对MEMS开关提高电容比需要提高驱动电压的问题,提出了一种应用于Ku频段的阶跃结构MEMS开关,该结构结合了固支梁开关和悬臂梁开关,使得开关有两个驱动高度。当固支梁被吸合时,悬臂梁高度会随之降低,在增加开关电容比的同时降低了驱动电压。利用开关悬臂梁引入的电感,将开关闭合态LCd谐振点设计在14.5 GHz,使得开关在Ku频段的隔离度尤为优异。使用ANSYS和HFSS软件进行模拟,结果显示所设计开关驱动电压小于32 V,关态和开态电容比达到280,12～18 GHz的隔离度大于37 dB,插入损耗低于0.23 dB,回波损耗高于-17 dB。

MEMS开关中聚合物牺牲层去除方法研究

制作了一种以聚酰亚胺作为牺牲层的低下拉电压开关,聚酰亚胺牺牲层采用反应离子刻蚀(RIE)工艺进行刻蚀。研究了刻蚀功率对刻蚀时间的影响,检验了不同刻蚀功率与刻蚀时间组合条件下开关梁的结构完整性,优化了该RIE工艺。实验结果表明,聚酰亚胺牺牲层的去除效果较好,其侧向刻蚀率为1.3μm/min。最终获得了具有2μm以下间隙、结构完整的MEMS开关梁。

基于微机电系统开关的四位移相器设计

为了解决相控阵雷达小型化和低损耗的问题,设计了一个工作频率为2.2 GHz的射频微机电系统(MEMS)四位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的插入损耗和隔离度,并得到仿真结果。在此基础上设计了基于该开关的移相范围为0~180o的四位移相器电路,相移量为12o每步。采用HFSS软件对其进行仿真,得到移相精确度、插入损耗和隔离度等关键结果,移相器工作在2.2 GHz时,隔离度大于20 d B,插入损耗小于1 d B。该设计与传统移相器相比体积更小,且具有更小的插入损耗和更大的隔离度。

夏

一缕清风无意间钻进耳中,小心翼翼地传达着夏的气息。往年这个时间,夏姐姐应该来找她了吧,嗯……应该快到了吧。那个时候,她还是个怕热的小孩子,就连冬天也不愿多穿一件出门,却喜欢炎热的夏。她总把脸贴在冰凉的窗户上,悄悄地看着夏的一举一动,也总有人会在蒸笼般的季节里,看到这样一双出神的眼睛。