GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究

测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。

GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究

从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱

测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。

Ni丝的自电热升华镀膜及其机理研究

讨论了Ni丝自电热升华镀Ni的机理,测定了Φ0.5mmNi丝的升华速率α_V(I′),并讨论了Ni丝镀膜的控制工艺;最后测定了Ni丝的自电热电阻R(I′)和小电流下的变温电阻R(T)。

同形系相图的对称性和形态描述

本文引入液固相变的对称性假设讨论了二元同形系相图的对称性,从对称性结构方程出发推导出相图的形态描述和确定相图参量的约束方程。利用(Hg,Cd)Te赝二元系相图的实验数据检验了相图的对称性和进行了相图的形态计算,从而得出相图的形态描述是一种与实验符合得相当好且简明的相图解析描述法。

共晶系相图的对称性和形态描述

本文从液固相变的对称性假设推导出二元共晶系相图的形态描述,并讨论了特性函数的展开及其系数的确定.利用富Te-HgCdTe体系的实验数据进行了相图的形态计算,计算出的结果与实验符合得相当好.由此得出共晶系相图的形态描述是一种能简便且较准确地算出液相线温度的相图解析描述法.

从平衡分凝系数计算二元同形系相图

本文从液固相平衡出发,推导出二元同形系液固相变的平衡分凝系数与其等效相变潜热的关系,又从二元同形系的分子间作用势和相图的对称性得到等效相变潜热的近似表达,从而导出计算二元同形系相图的分凝系数法.用分凝系数法计算了(Hg,Cd)Te赝二元同形系相图,所计算的液固相点温度与实验值的拟合度与用较复杂的热力学方法计算的结果相近.

一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用

本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理，给出并解释了InGaAs／GaAs单量子阱，AlGaAs／GaAsHBT等材料的微分反射谱．为了比较起见，文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱．

GaAs／GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨

通过长波ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡＳ量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统ＨｇＣｄＴｅ探测器的比较，直接地显示了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竟争力．

7μmGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器

利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz^(1/2)·W^(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W^(-1).

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．

δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱

本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收峰以及ＧａＡｓ本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论．

δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性．

Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱

在４．２—５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋－轨道分裂带（ｐ１／２价带）相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能．结果表明，低锗组分下，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化．