参杂GaAs量子点的电子结构

用有效质量近似和少体物理方法计算了在抛物势中,参杂(一个带正电荷)GaAs量子点中有7个极化电子时的本征能量和本征波函数,并从本征波函数中提取的一体、二体密度函数方法得到了电子结构的直观图像,用对称性对量子点中库仑相互作用能和电子结构进行了分析.

GaAs量子点中电子结构和幻角动量的对称性分析

用有效质量近似理论和哈密顿量H对角化方法计算了在抛物势中,GaAs量子点中有10个极化电子时的本征能量和本征波函数,并从本征波函数中提取的一体、二体密度函数方法得到了电子结构的直观图像。用对称性分析了量子点中幻角动量和电子结构。

弱简并理想费米、玻色气体绝热混合温度的变化

讨论了弱简并理想费米、玻色气体绝热混合时，气体粒子数密度的突变和连续变化引起的温度在量子范围内的突变和连续变化，结果表明：与气体粒子数密度有关的物理量，将随气体粒子数密度的变化而变化．

弱简并理想费米气体、玻色气体混合后内能的变化

本文讨论弱简并理想费米气体、玻色气体等温混合，由于气体粒子数密度的突变，引起在量子范围内压强和内能的突变。从与经典情况对比得知，只有和气体粒子数密度有关的量，当相应粒子数密度突变，才会发生这种突变．

氧化锑/高岭土复合阻燃微粉的湿化学反应动力学及特性

采用湿化学法制备了氧化锑 /高岭土复合阻燃微粉 ,用热重 (TG) ,差示扫描量热法 (DSC)对其阻燃特性进行了分析 ,用SEM分析了粒子形貌 ,激光光散射粒度分布仪分析了粒子的分布情况 .热分析结果表明 ,与球磨法相比 ,湿化学法制备的样品的失重量大 ,失重温度范围广 ,放热峰范围广 .化学法制备复合微粉的反应活化能与球磨法相差不大 .SEM分析及粒度分析表明 :复合微粉大多处于 0 .2 0 μm以下 ,化学法制备的样品中以锑白粉占为主 ,高岭土附在锑白粉表面 ,充分与锑白粉发生物理、化学作用 .同时发现 ,样品经6 0 0℃热处理 2h后 。

磁场和杂质对激子低能谱的效应

探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应。杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d。用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化。当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质)和带正电杂质,E随B的增加而增加。而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升。当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变。

磁场和杂质对二维3电子量子点基态的影响

使用少体物理方法 ,计算了在不同的磁场、杂质作用下二维 3电子量子点基态的能量和角动量 ,获得了它们受磁场和杂质影响的结果 ,并且从动力学和对称性两方面对结果进行了分析。

氧化锑/高岭土复合阻燃微粉的结构分析

用球磨法制备了氧化锑 /高岭土复合阻燃微粉 ,采用 X射线衍射 (XRD)、红外吸收光谱 (IR)对复合微粉的结构进行了分析。 XRD分析表明 :随着复合微粉组分的变化 ,高岭土和氧化锑的 XRD特征衍射吸收峰发生移动 ,衍射强度发生变化 ,相应晶面间距发生膨胀和收缩 ,晶格畸变明显。IR分析表明 :随着复合组分的变化 ,高岭土和氧化锑的 IR特征振动吸收峰发生红移、蓝移、振动消失等系列变化。

氧化锑/高岭土复合阻燃微粉的湿化学法制备及特性

采用湿化学法制备了氧化锑 /高岭土复合阻燃微粉 ,用热重 (TG)、差示扫描量热法 (DSC)对其阻燃特性进行了分析 ,用SEM分析了粒子形貌 ,激光光散射粒度分布仪分析了粒子的分布情况。热分析结果表明 ,与球磨法相比 ,湿化学法制备的样品的失重量大、失重温度范围广、放热峰范围广 ;化学法制备复合微粉的反应活化能与球磨法相差不大。SEM分析及粒度分析表明 :复合微粉大多处于 0 .2 0 μm以下 ,化学法制备的样品中以锑白粉为主 ,高岭土附在锑白粉表面 ,充分与锑白粉发生物理、化学作用。同时发现 ,样品6 0 0℃热处理 2h后 。

磁场和带电杂质对2电子量子点的综合效应

研究了在磁场B中受带电杂质影响的2维2电子量子点的特性。带电杂质被固定在z轴上且与量子点所在的平面的距离为d。用直接对角化方法获得了2电子量子点的低态能谱,计算了其基态角动量L0和自旋S0随B、d的演化,归纳结果于(L0,S0)相图中。(L0,S0)图表明:基态L0和S0跃迁以特殊的方式匹配。

电子在Si原子势场中跃迁吸收截面的计算

用直接计算矩阵元方法和计算碰撞相移方法计算了电子在中性ｓｉ原子势场中的自由－自由跃迁吸收截面。

Four-Electron Quantum Ring in a Magnetic Field

我们由准确 diagonalization 在垂直外部磁场 B 与四个电子学习一枚量戒指(QR ) 。B 的功能被获得的 QR 的低系列。当时，一张阶段图被论述显示尖动量和 QR 的扎根的状态的旋转可以跳 B 或 QR 的半径变化，并且相应分析被执行。由阴谋 QR 的密度功能，地面状态配置被发现是常规四角形。而且，地面状态的特征坚持的电流被揭示。

掺杂对量子点电子结构的影响

用有效质量近似理论和哈密顿量H对角化方法计算了在谐振子势中,量子点(含8个极化电子)的本征能量和本征波函数,并通过从本征波函数中提取一体、二体和三体密度函数的方法,得到了电子结构的直观图像。分析了掺杂(带单位正电荷或单位负电荷的杂质)对量子点电子结构的影响。研究结果表明:正掺杂会增加量子点中心电荷的聚集,而负掺杂则会在量子点中心形成电荷空白区。

在计算自由－自由跃迁吸收截面中极化势作用的研究

讨论在中性原子势场的电子自由－自由跃迁吸收截面的计算中，极化势所起的作用，并对四种极化势形式和无极化势情况下计算的自由－自由跃迁吸收截面进行了比较。结果表明，Ｖｐ１极化势情况下的结果与Ａｓｈｋｉｎ理论计算值符合较好。

带电杂质对磁场中3个电子量子点的影响

研究了在磁场B中受杂质影响的二维3个电子量子点基态的特性. 杂质被固定在z轴上且与量子点平面的距离为d. 计算了基态角动量L0和自旋S0随B和d的演化, 归纳结果于(L0, S0)相图中, 而且探讨了电子的空间分布(量子点的大小、几何结构)和光吸收. (L0, S0)图表明: 当d和(或)B变化时, L0和S0 能够发生跃迁. 我们发现由于对称性限制, 每种对称几何结构只能访问具有特定L0和S0的一组态.

PCLT/P(VDF-TrFE)纳米复合多层热释电探测器的灵敏度

以 0 3PCLT/P (VDF TrFE)纳米复合材料为热释电膜 ,制备了具有多层结构的热释电探测器 ,测量了热释电电流灵敏度 .通过引进矩阵方法从理论上计算了这个多层热释电探测器的电流灵敏度并讨论了各层厚度对其影响 .计算值与实验测量值相比较 ,两者在 1 0 1～ 1 0 3