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题名磁场分布对多磨头磁流变抛光材料去除的影响
被引量:3
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作者
路家斌
宾水明
阎秋生
黄银黎
熊强
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机构
广东工业大学机电工程学院
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出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期20-26,共7页
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基金
NSFC-广东省联合基金项目(U1801259)
国家自然科学基金项目(51375097).
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文摘
为研究磁场分布对材料去除的影响,设计轴向充磁异向排布、轴向充磁同向排布、径向充磁异向排布、径向充磁同向排布4种磁铁充磁和排布方式,利用有限元软件Maxwell仿真不同磁场的磁力线分布及抛光轮表面的磁感应强度分布,并采用数字特斯拉计测量实际磁感应强度。对单晶硅基片进行定点抛光试验,检测抛光斑沿抛光轮轴向的去除轮廓及峰值点的表面形貌。仿真和实际磁感应强度检测结果表明,不同磁场分布方式对抛光区的磁场分布有很大影响,磁铁轴向充磁同向排布与径向充磁异向排布时,具有较高的磁场强度和较好的多磨头效果。定点抛光试验表明,采用轴向充磁同向排布与径向充磁异向排布这两种方式时,能实现多点加工,其中轴向充磁同向排布时加工效率较高;但采用径向充磁同向排布时,由于抛光区磁感应强度较低,磁流变微磨头无法对工件进行有效地抛光。峰值点表面形貌检测结果表明,采用不同磁场分布方式时,对工件表面均是以塑性去除方式去除。研究表明,通过优化磁铁充磁和排布方式,可实现多磨头磁流变抛光的加工原理。
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关键词
多磨头
磁流变抛光
磁场分布
材料去除
磁感应强度
塑性去除
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Keywords
multiple polishing heads
magnetorheological finishing
magnetic field distribution
material removal
magnetic field intensity
plastic removal
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分类号
TG356.28
[金属学及工艺—金属压力加工]
TH117.1
[机械工程—机械设计及理论]
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题名GaN晶片芬顿反应化学机械抛光液组分优化
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作者
严杰文
路家斌
黄银黎
潘继生
阎秋生
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机构
广东工业大学机电学院
广州计量检测技术研究院
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出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2022年第5期610-616,共7页
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基金
国家自然科学基金(52075102、52175385)
NSFC-广东省联合基金(U1801259)
+1 种基金
广东省基础与应用基础研究基金(2019A1515011243)
佛山市科技创新团队专项(2018IT100242)。
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文摘
针对芬顿反应CMP抛光GaN晶片的抛光液,开展以表面质量为评价指标的参数优化试验,找出抛光液组分的最优配比。结果表明:当H_(2)O_(2)质量分数为7.5%时,GaN晶片加工表面效果最优,表面粗糙度达到3.2 nm;催化剂能有效调节芬顿反应的速率,对比液体催化剂FeSO_(4)溶液和固体催化剂Fe_(3)O_(4)粉末,固体催化剂Fe_(3)O_(4)粉末能在溶液中持续电离Fe^(2+),使芬顿反应能在整个加工过程中持续作用。当Fe_(3)O_(4)粉末粒径为20 nm时,抛光效果最佳,表面粗糙度达到3.0 nm;对比氧化铝、氧化铈、硅溶胶磨料,硅溶胶磨料抛光的表面效果最佳,晶片表面粗糙度达到3.3 nm;当硅溶胶磨料质量分数为20.0%,磨料粒径为60 nm时,抛光后晶片表面粗糙度达到1.5 nm。抛光液组分优化后,采用最优的抛光液组分参数抛光GaN晶片,其能获得表面粗糙度为0.9 nm的光滑表面。
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关键词
GaN晶片
芬顿反应
CMP抛光
催化剂
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Keywords
GaN wafer
Fenton reaction
CMP polishing
catalyst
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分类号
TG58
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
TG73
[金属学及工艺—刀具与模具]
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