Hf^(4+)离子掺杂BNT对电卡性能的影响

该文采用传统固相合成法制备了Bi_(0.5)Na_(0.5)Ti_((1-x))Hf_(x)O_(3)(x=0,0.02,0.04和0.06)陶瓷,通过X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了其相结构、微观表面,并研究了其介电性能、铁电性能及比热容与相变的关系。通过构建电场和温度的条件,共同调控铁电相变。再借助麦克斯韦方程,通过间接法计算,最终在50℃、70 kV/cm的电场下,在Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3)-0.04Hf陶瓷中通过诱导畴变得到了0.5 K的负电卡效应。